Infineon IGBT / 80 A 30V max. , 650 V 275 W, 3-Pin PG-TO247 N-Kanal

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RS Best.-Nr.:
226-6116
Herst. Teile-Nr.:
IKW50N65EH5XKSA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Dauer-Kollektorstrom max.

80 A

Kollektor-Emitter-Spannung

650 V

Gate-Source Spannung max.

30V

Verlustleistung max.

275 W

Anzahl an Transistoren

1

Konfiguration

Single

Gehäusegröße

PG-TO247

Channel-Typ

N

Pinanzahl

3

Der Infineon IKW50N65EH5 ist ein 650-V-Hochgeschwindigkeits-IGBT mit harter Schaltgeschwindigkeit, der mit der Rapid-i-Dioden-Technologie zusammengeschaltet wird. Es hat eine höhere Leistungsdichte und verfügt über niedrige CoEs/EOSS.

Faktor 2,5 niedriger Qg
Reduzierung der Schaltverluste um Faktor 2
200 mV Reduzierung des VCEsat

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