Infineon IGBT / 24 A, 600 V 110 W TO-263

Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigen

Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*

€ 13,09

(ohne MwSt.)

€ 15,71

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 895 Einheit(en) mit Versand ab 31. August 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück
Pro Stück
Pro Packung*
5 - 20€ 2,618€ 13,09
25 - 45€ 2,356€ 11,78
50 - 120€ 2,228€ 11,14
125 - 245€ 2,066€ 10,33
250 +€ 1,916€ 9,58

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
258-7725
Herst. Teile-Nr.:
IKB10N60TATMA1
Hersteller:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

IGBT

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

24A

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

600V

Maximale Verlustleistung Pd

110W

Gehäusegröße

TO-263

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

±20 V

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

1.5V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

JEDEC1

Serie

TRENCHSTOPTM

Automobilstandard

Nein

Die diskrete IGBT von Infineon mit Anti-Paralleldiode im TO-263-Gehäuse. Erhebliche Verbesserung der statischen und dynamischen Leistung dank der Kombination aus Trennzelle und Feldblende. Geringe Leitungs- und Schaltverluste.

Besonders niedriger VCEsat-Abfall für geringeren Leitungsverlust

Einfaches paralleles Schalten dank des positiven Temperaturkoeffizienten in VCEsat

Sehr weiche, antiparallel emittergesteuerte Diode mit schneller Wiederherstellung

Hohe Robustheit, temperaturstabiles Verhalten

Niedrige Gate-Ladung

Verwandte Links

Exklusiv für Sie unsere neuesten Produkte und Angebote

E-Mail-Anschrift

Die personenbezogenen Daten, die Sie uns bei Anmeldung zur Verfügung stellen, werden gemäß der Datenschutzerklärung verarbeitet.