Infineon IGBT / 30 A 20V max. , 600 V 110 W TO-263-3

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
258-7725
Herst. Teile-Nr.:
IKB10N60TATMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Dauer-Kollektorstrom max.

30 A

Kollektor-Emitter-Spannung

600 V

Gate-Source Spannung max.

20V

Verlustleistung max.

110 W

Anzahl an Transistoren

1

Konfiguration

Einfach-Kollektor, Einfach-Emitter, Einfach-Gate

Gehäusegröße

TO-263-3

Die diskrete IGBT von Infineon mit Anti-Paralleldiode im TO-263-Gehäuse. Erhebliche Verbesserung der statischen und dynamischen Leistung dank der Kombination aus Trennzelle und Feldblende. Geringe Leitungs- und Schaltverluste.

Besonders niedriger VCEsat-Abfall für geringeren Leitungsverlust
Einfaches paralleles Schalten dank des positiven Temperaturkoeffizienten in VCEsat
Sehr weiche, antiparallel emittergesteuerte Diode mit schneller Wiederherstellung
Hohe Robustheit, temperaturstabiles Verhalten
Niedrige Gate-Ladung

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