Infineon IGBT-Modul / 4.7 A 65 W TO-263

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
258-3757
Herst. Teile-Nr.:
IMBG120R350M1HXTMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

4.7A

Produkt Typ

IGBT-Modul

Maximale Verlustleistung Pd

65W

Gehäusegröße

TO-263

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

JEDEC47/20/22

Automobilstandard

Nein

Der 350-mΩ-SiC-MOSFET CoolSiC1200 V von Infineon in einem D2PAK-7L-Gehäuse basiert auf einem hochmodernen Trennhalbleiterprozess, der optimiert ist, um Leistung mit Zuverlässigkeit im Betrieb zu kombinieren. Die niedrigen Leistungsverluste der CoolSiC-Technologie in Kombination mit der XT-Verbindungstechnologie in einem neuen 1200-V-optimierten SMD-Gehäuse ermöglichen höchste Effizienz und passives Kühlpotenzial in Anwendungen wie Laufwerken, Ladegeräten und industriellen Netzteilen.

Sehr niedrige Schaltverluste

Kurzschlussbeständigkeit: 3 μs

Vollständig steuerbar dV/dt

Effizienzverbesserung

Ermöglicht höhere Frequenz

Erhöhte Leistungsdichte

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