Infineon IGBT / 15 A, 650 V 105 W TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 258-0983
- Herst. Teile-Nr.:
- IGB15N65S5ATMA1
- Hersteller:
- Infineon
Derzeit nicht erhältlich
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- RS Best.-Nr.:
- 258-0983
- Herst. Teile-Nr.:
- IGB15N65S5ATMA1
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 15A | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 650V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 105W | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | ±20 ±30 V | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 1.35V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS Compliant | |
| Serie | High Speed Fifth Generation | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 15A | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 650V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 105W | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO ±20 ±30 V | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 1.35V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS Compliant | ||
Serie High Speed Fifth Generation | ||
Automobilstandard Nein | ||
Das Hochgeschwindigkeits-Schaltgerät TRENCHSTOP 5-Zoll-D2Pak-Gehäuse mit 650 V, 15 A von Infineon ist ein einfaches IGBT für Anwendungen, die zwischen 10 kHz und 40 kHz umschalten, um einen hohen Wirkungsgrad, eine schnellere Zeit bis zur Markteinführung, eine Reduzierung der Komplexität des Schaltkreisdesigns und eine Optimierung der Leiterplatten-Materialkosten zu bieten.
Keine Gate-Klemmkomponenten erforderlich
Gate-Treiber mit Miller-Klemme sind nicht erforderlich
Reduzierung der EMI-Filterung erforderlich
Ausgezeichnet für Parallelmontage
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