Infineon IGBT / 30 A 20V max. , 600 V 110 W TO-263-3
- RS Best.-Nr.:
- 258-7063
- Herst. Teile-Nr.:
- IKB10N60TATMA1
- Hersteller:
- Infineon
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 30 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 600 V | |
| Gate-Source Spannung max. | 20V | |
| Verlustleistung max. | 110 W | |
| Anzahl an Transistoren | 1 | |
| Gehäusegröße | TO-263-3 | |
| Konfiguration | Einfach-Kollektor, Einfach-Emitter, Einfach-Gate | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 30 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 600 V | ||
Gate-Source Spannung max. 20V | ||
Verlustleistung max. 110 W | ||
Anzahl an Transistoren 1 | ||
Gehäusegröße TO-263-3 | ||
Konfiguration Einfach-Kollektor, Einfach-Emitter, Einfach-Gate | ||
Die diskrete IGBT von Infineon mit Anti-Paralleldiode im TO-263-Gehäuse. Erhebliche Verbesserung der statischen und dynamischen Leistung dank der Kombination aus Trennzelle und Feldblende. Geringe Leitungs- und Schaltverluste.
Besonders niedriger VCEsat-Abfall für geringeren Leitungsverlust
Einfaches paralleles Schalten dank des positiven Temperaturkoeffizienten in VCEsat
Sehr weiche, antiparallel emittergesteuerte Diode mit schneller Wiederherstellung
Hohe Robustheit, temperaturstabiles Verhalten
Niedrige Gate-Ladung
Einfaches paralleles Schalten dank des positiven Temperaturkoeffizienten in VCEsat
Sehr weiche, antiparallel emittergesteuerte Diode mit schneller Wiederherstellung
Hohe Robustheit, temperaturstabiles Verhalten
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