onsemi IGBT-Modul, 1200 V 188 W Q0PACK - Fall 180AB Oberfläche

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
245-6993
Herst. Teile-Nr.:
NXH80T120L3Q0S3G
Hersteller:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

IGBT-Modul

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

1200V

Anzahl an Transistoren

4

Maximale Verlustleistung Pd

188W

Gehäusegröße

Q0PACK - Fall 180AB

Montageart

Oberfläche

Betriebstemperatur min.

-40°C

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

20 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Serie

NXH80T120L3Q0S3G

Normen/Zulassungen

RoHS

Höhe

13.9mm

Länge

55.2mm

Automobilstandard

Nein

Das on Semiconductor Q0PACK-Modul ist ein Leistungsmodul mit einem T-Neutralleiter, der mit einer dreistufigen Wechselrichterstufe geklemmt ist. Die integrierten Feldstopp-Trench-IGBTs und Dioden mit schneller Erholung sorgen für geringere Leitungsverluste und Schaltverluste und ermöglichen es Entwicklern, einen hohen Wirkungsgrad und eine überlegene Zuverlässigkeit zu erreichen.

Geringe Schaltverluste

Niedriger VCEsat

Kompaktes Gehäuse, 65,9 x 32,5 x 12 mm

Optionen mit vorinstalltem thermomem Schnittstellenmaterial und ohne voreingesetzte TIM

Optionen mit lötbaren Stiften und Presssitzstiften Thermistor

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