Infineon IGBT-Modul, 1200 V 175 W

Alle IGBT anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Schale mit 15 Stück)*

€ 523,125

(ohne MwSt.)

€ 627,75

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 22. Juni 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Schale*
15 - 15€ 34,875€ 523,13
30 +€ 33,131€ 496,97

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
244-5392
Herst. Teile-Nr.:
FP25R12W2T4BOMA1
Hersteller:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

IGBT-Modul

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

1200V

Anzahl an Transistoren

7

Maximale Verlustleistung Pd

175W

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

20 V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

2.25V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Serie

FP25R12W2T4B

Normen/Zulassungen

RoHS

Breite

42.5 mm

Länge

51mm

Höhe

12mm

Automobilstandard

Nein

Das Infineon IGBT-Modul hat einen maximalen Nennwert für sich wiederholenden Peak Kollektor-Strom von 50 A und einen maximalen Kollektor-Emitter-Sättigungsvoltag von 2,25 V, Gate-Schwellenspannung von 6,4 V.

Kollektor-Emitter-Abschaltstrom 1,0 mA

Temperatur unter Schaltbedingungen 150 °C.

Gate-Emitter-Leckstrom 400 nA

Umgekehrte Übertragungskapazität 0,05 NF

Verwandte Links