Infineon IGBT-Modul, 1200 V 515 W

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RS Best.-Nr.:
244-5379
Herst. Teile-Nr.:
FP100R12KT4BOSA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

IGBT-Modul

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

1200V

Anzahl an Transistoren

7

Maximale Verlustleistung Pd

515W

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

2.1V

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

20 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Serie

FP100R12KT4

Breite

62 mm

Länge

122mm

Höhe

17mm

Automobilstandard

Nein

Das Infineon IGBT-Modul hat einen maximalen Nennwert für sich wiederholenden Peak Kollektor-Strom von 200 A und eine Kollektor-Emitter-Sättigungsvoltag von 2,20 V, Gate-Schwellenspannung von 6,4 V.

Kollektor-Emitter-Abschaltstrom 1,0 mA

Temperatur unter Schaltbedingungen 150 °C.

Gate-Emitter-Leckstrom 100 nA

Umgekehrte Übertragungskapazität NF

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