Infineon IGBT-Modul / 100 A +/-20V max. 7-fach, 1200 V 515 W

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RS Best.-Nr.:
244-5379
Herst. Teile-Nr.:
FP100R12KT4BOSA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Dauer-Kollektorstrom max.

100 A

Kollektor-Emitter-Spannung

1200 V

Gate-Source Spannung max.

+/-20V

Verlustleistung max.

515 W

Anzahl an Transistoren

7

Das Infineon IGBT-Modul hat einen maximalen Nennwert für sich wiederholenden Peak Kollektor-Strom von 200 A und eine Kollektor-Emitter-Sättigungsvoltag von 2,20 V, Gate-Schwellenspannung von 6,4 V.

Kollektor-Emitter-Abschaltstrom 1,0 mA
Temperatur unter Schaltbedingungen 150 °C.
Gate-Emitter-Leckstrom 100 nA
Umgekehrte Übertragungskapazität NF

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