Infineon IGBT-Modul, 1.2 kV 515 W
- RS Best.-Nr.:
- 244-5380
- Herst. Teile-Nr.:
- FP100R12KT4BOSA1
- Hersteller:
- Infineon
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | IGBT-Modul | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 1.2kV | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 515W | |
| Anzahl an Transistoren | 7 | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 2.1V | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 62mm | |
| Serie | FP100R12KT4 | |
| Höhe | 17mm | |
| Länge | 122mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ IGBT-Modul | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 1.2kV | ||
Maximale Verlustleistung Pd 515W | ||
Anzahl an Transistoren 7 | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 2.1V | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 62mm | ||
Serie FP100R12KT4 | ||
Höhe 17mm | ||
Länge 122mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineon FP100R12KT4 Serie IGBT-Modul, 1200 V max. Kollektor-Emitter-Spannung, 515 W maximale Verlustleistung - FP100R12KT4BOSA1
Dieses IGBT-Modul ist eine Hochspannungsschaltkomponente, die für Anwendungen in der Leistungselektronik entwickelt wurde, die eine hohe Spannungsbelastbarkeit und thermische Beständigkeit erfordern. Es ist für die Bewältigung erheblicher Verlustleistung in industriellen Umgebungen ausgelegt und arbeitet in einem breiten Temperaturbereich, wodurch es Kompatibilität bietet, wo keine Alternativen in Automobilqualität erforderlich sind.
Merkmale und Vorteile:
• 1200 V Blockierfähigkeit ermöglicht Hochspannungsschaltung
• 515 W Verlustleistung für schwere Lasten
• VGE-Grenzwert von 20 V für kontrolliertes Gate-Drive-Design
• VCE(sat) von 2,1 V reduziert Leitungsverluste unter Last
• Sieben-Transistor-Konfiguration mit dichter Schalttopologie
• 150 °C maximale Sperrschicht für Hochtemperaturbetrieb
• 515 W Verlustleistung für schwere Lasten
• VGE-Grenzwert von 20 V für kontrolliertes Gate-Drive-Design
• VCE(sat) von 2,1 V reduziert Leitungsverluste unter Last
• Sieben-Transistor-Konfiguration mit dichter Schalttopologie
• 150 °C maximale Sperrschicht für Hochtemperaturbetrieb
Anwendungsbereich
• Geeignet für industrielle Motor-Frequenzumrichter-Stufen
• Ideal für Mittelspannungs-Leistungswandler und USV-Systeme
• Einsatz mit Hochleistungs-Schaltarrays in erneuerbaren Wechselrichtern
• Kann für Traktions- und schwere Ausrüstungsmodule verwendet werden
• Ideal für Mittelspannungs-Leistungswandler und USV-Systeme
• Einsatz mit Hochleistungs-Schaltarrays in erneuerbaren Wechselrichtern
• Kann für Traktions- und schwere Ausrüstungsmodule verwendet werden
Welche Gate-Drive-Einschränkung sollte beachtet werden?
Das Gerät erfordert Gate-Emitter-Spannungen von nicht mehr als 20 V, um Gate-Schäden zu verhindern.
Wie wirkt sich die thermische Toleranz auf das Kühldesign aus?
Eine maximale Betriebstemperatur von 150 °C ermöglicht kleinere Kühlkörperabstände, erfordert aber dennoch eine ausreichende thermische Schnittstelle und Kühlung für eine kontinuierliche Verlustleistung von 515 W.
Welcher elektrischer Belastung widersteht das Modul während der Blockierung?
Er ist spezifiziert, um Kollektor-Emitter-Spannungen von bis zu 1200 V im Aus-Zustand standzuhalten.
Wie viele Schaltelemente sind im Inneren vorhanden?
Das Modul enthält sieben Transistoren zur Unterstützung von Multi-Switch-Topologien.
Gibt es Materialbeschränkungen bei der Auswahl?
Das Gerät entspricht den RoHS-Anforderungen und schließt daher bestimmte eingeschränkte Stoffe aus.
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