Infineon IGBT-Modul, 1200 V 515 W

Alle IGBT anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stück)*

€ 160,38

(ohne MwSt.)

€ 192,46

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 08. Juni 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
1 - 1€ 160,38
2 - 2€ 157,18
3 +€ 141,46

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
244-5380
Herst. Teile-Nr.:
FP100R12KT4BOSA1
Hersteller:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

IGBT-Modul

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

1200V

Anzahl an Transistoren

7

Maximale Verlustleistung Pd

515W

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

2.1V

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

20 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Serie

FP100R12KT4

Höhe

17mm

Länge

122mm

Breite

62 mm

Automobilstandard

Nein

Das Infineon IGBT-Modul hat einen maximalen Nennwert für sich wiederholenden Peak Kollektor-Strom von 200 A und eine Kollektor-Emitter-Sättigungsvoltag von 2,20 V, Gate-Schwellenspannung von 6,4 V.

Kollektor-Emitter-Abschaltstrom 1,0 mA

Temperatur unter Schaltbedingungen 150 °C.

Gate-Emitter-Leckstrom 100 nA

Umgekehrte Übertragungskapazität NF

Verwandte Links