Infineon IGBT-Modul, 1200 V 105 W

Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigen

Zwischensumme (1 Schale mit 24 Stück)*

€ 582,912

(ohne MwSt.)

€ 699,504

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 28. Oktober 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück
Pro Stück
Pro Schale*
24 - 24€ 24,288€ 582,91
48 +€ 23,073€ 553,75

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
244-5383
Herst. Teile-Nr.:
FP10R12W1T4BOMA1
Hersteller:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

IGBT-Modul

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

1200V

Anzahl an Transistoren

7

Maximale Verlustleistung Pd

105W

Betriebstemperatur min.

-40°C

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

20 V

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

2.25V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

12mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Serie

FP10R12W1T4B

Länge

62.8mm

Automobilstandard

Nein

Das Infineon IGBT-Modul ist für Hilfswechselrichter, Motorantriebe und Klimaanlagen usw. geeignet

Elektrische Eigenschaften

Niedrige Schaltverluste

Trench-IGBT 3

VCEsat mit positivem Temperaturkoeffizient

Geringe VCEsat

Mechanische Eigenschaften

Al2O3-Substrat mit niedrigem Wärmewiderstand

Kompaktes Design

Lötkontakttechnologie

Robuste Montage durch integrierte Montageklemmen

Verwandte Links

Exklusiv für Sie unsere neuesten Produkte und Angebote

E-Mail-Anschrift

Die personenbezogenen Daten, die Sie uns bei Anmeldung zur Verfügung stellen, werden gemäß der Datenschutzerklärung verarbeitet.