onsemi IGBT-Modul / 75 A ±20V max. Quad, 1200 V 188 W Q0PACK - Gehäuse 180AB (bleifrei und halogenfrei)
- RS Best.-Nr.:
- 245-6992
- Herst. Teile-Nr.:
- NXH80T120L3Q0S3G
- Hersteller:
- onsemi
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 75 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 1200 V | |
| Gate-Source Spannung max. | ±20V | |
| Verlustleistung max. | 188 W | |
| Anzahl an Transistoren | 4 | |
| Gehäusegröße | Q0PACK - Gehäuse 180AB (bleifrei und halogenfrei) | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 75 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 1200 V | ||
Gate-Source Spannung max. ±20V | ||
Verlustleistung max. 188 W | ||
Anzahl an Transistoren 4 | ||
Gehäusegröße Q0PACK - Gehäuse 180AB (bleifrei und halogenfrei) | ||
Das on Semiconductor Q0PACK-Modul ist ein Leistungsmodul mit einem T-Neutralleiter, der mit einer dreistufigen Wechselrichterstufe geklemmt ist. Die integrierten Feldstopp-Trench-IGBTs und Dioden mit schneller Erholung sorgen für geringere Leitungsverluste und Schaltverluste und ermöglichen es Entwicklern, einen hohen Wirkungsgrad und eine überlegene Zuverlässigkeit zu erreichen.
Geringe Schaltverluste
Niedriger VCEsat
Kompaktes Gehäuse, 65,9 x 32,5 x 12 mm
Optionen mit vorinstalltem thermomem Schnittstellenmaterial und ohne voreingesetzte TIM
Optionen mit lötbaren Stiften und Presssitzstiften Thermistor
Niedriger VCEsat
Kompaktes Gehäuse, 65,9 x 32,5 x 12 mm
Optionen mit vorinstalltem thermomem Schnittstellenmaterial und ohne voreingesetzte TIM
Optionen mit lötbaren Stiften und Presssitzstiften Thermistor
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