Infineon IGBT / 38 A 20V max. , 650 V 130 W TO-220-3

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
242-0980
Herst. Teile-Nr.:
IKP28N65ES5XKSA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Dauer-Kollektorstrom max.

38 A

Kollektor-Emitter-Spannung

650 V

Gate-Source Spannung max.

20V

Anzahl an Transistoren

1

Verlustleistung max.

130 W

Gehäusegröße

TO-220-3

Konfiguration

Single

Der 650 V, 28 A IGBT von Infineon mit antiparalleler Diode in TO-220-Gehäuse. Er verfügt über eine hohe Stromdichte, einen hohen Wirkungsgrad, schnellere Markteinführungszyklen, geringere Komplexität des Schaltkreises und eine Optimierung der Leiterplatten-Materialkosten.

Glattes Hochgeschwindigkeitsschaltgerät für hartes und weiches Schalten
175 °C maximale Verbindungstemperatur
Keine Gate-Klemmkomponenten erforderlich

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