Infineon IGBT / 30 A 20V max. , 1600 V 263 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal
- RS Best.-Nr.:
- 218-4398
- Herst. Teile-Nr.:
- IHW30N160R5XKSA1
- Hersteller:
- Infineon
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|---|---|---|
| 30 - 30 | € 2,896 | € 86,88 |
| 60 - 120 | € 2,751 | € 82,53 |
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- RS Best.-Nr.:
- 218-4398
- Herst. Teile-Nr.:
- IHW30N160R5XKSA1
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- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 30 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 1600 V | |
| Gate-Source Spannung max. | 20V | |
| Verlustleistung max. | 263 W | |
| Anzahl an Transistoren | 1 | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Channel-Typ | N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 30 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 1600 V | ||
Gate-Source Spannung max. 20V | ||
Verlustleistung max. 263 W | ||
Anzahl an Transistoren 1 | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Channel-Typ N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Infineon IGBT, 30 A maximaler Kollektor-Dauerstrom, 1600 V maximale Kollektor-Emitter-Spannung - IHW30N160R5XKSA1
Bei diesem IGBT handelt es sich um ein robustes Halbleiterbauelement für Hochspannungsanwendungen mit einem maximalen Kollektorstrom von 30 A, das in einem Temperaturbereich von -40°C bis +175°C arbeitet. Das TO-247-Gehäuse gewährleistet eine bequeme Installation, während die Abmessungen von 16,3 x 21,5 x 5,3 mm eine kompakte Lösung für verschiedene elektronische Anforderungen darstellen.
Eigenschaften und Vorteile
• Rückwärtsleitende Fähigkeit für verbesserte Leistung
• Monolithische Body-Diode reduziert den Durchlassspannungsverlust
• Enge Parameterverteilung erhöht die Zuverlässigkeit
• Hohe Robustheit verbessert die Haltbarkeit unter anspruchsvollen Bedingungen
• Geringe EMI-Emissionen sorgen für minimale Störungen in Schaltkreisen
• Monolithische Body-Diode reduziert den Durchlassspannungsverlust
• Enge Parameterverteilung erhöht die Zuverlässigkeit
• Hohe Robustheit verbessert die Haltbarkeit unter anspruchsvollen Bedingungen
• Geringe EMI-Emissionen sorgen für minimale Störungen in Schaltkreisen
Anwendungen
• Für das Induktionskochen
• Geeignet für Mikrowellenherdschaltungen
• Ideal für verschiedene Hochspannungsschaltungen
• Kompatibel mit speziellen Halbleiter-Leistungsmodulen
• Geeignet für Mikrowellenherdschaltungen
• Ideal für verschiedene Hochspannungsschaltungen
• Kompatibel mit speziellen Halbleiter-Leistungsmodulen
Was sind die wichtigsten thermischen Eigenschaften dieses Geräts?
Der Wärmewiderstand von der Sperrschicht zur Umgebung beträgt 40 K/W, und der Wärmewiderstand von der Sperrschicht zum Gehäuse beträgt 0,57 K/W, was ein effizientes Wärmemanagement unter Lastbedingungen gewährleistet.
Wie verhält sich dieses IGBT-Modul bei Hochspannungsanwendungen?
Mit einer Kollektor-Emitter-Spannung von bis zu 1600 V eignet er sich für Hochspannungsumgebungen und gewährleistet gleichzeitig einen sicheren Betrieb innerhalb der vorgegebenen Grenzen.
Welche Auswirkungen hat die maximale Verlustleistung auf die Konstruktion?
Mit einer maximalen Verlustleistung von 263 W ermöglicht er ein effizientes Energiemanagement und stellt sicher, dass das Gerät in typischen Anwendungen effektiv und ohne thermische Überlastung arbeiten kann.
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