Infineon IGBT-Einzel-Transistor-IC / 60 A, 650 V 176 W, 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage

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RS Best.-Nr.:
215-6637
Herst. Teile-Nr.:
IHW30N65R5XKSA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

IGBT-Einzel-Transistor-IC

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

60A

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

650V

Maximale Verlustleistung Pd

176W

Gehäusegröße

TO-247

Montageart

Durchsteckmontage

Kabelkanaltyp

Typ N

Pinanzahl

3

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

1.7V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

20 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Länge

42mm

Serie

Resonant Switching

Höhe

5.21mm

Automobilstandard

Nein

Der reversierende bipolare Transistor der Infineon Resonanzschalter-Serie mit isolierter Gate-Isolierung und monolithischer Gehäusediode.

Hoher Wirkungsgrad

Niedrige Schaltverluste

Erhöhte Zuverlässigkeit

Geringe elektromagnetische Störungen

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