Infineon IGBT-Einzel-Transistor-IC / 40 A, 1350 V 310 W, 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage

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RS Best.-Nr.:
215-6635
Herst. Teile-Nr.:
IHW20N135R5XKSA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

IGBT-Einzel-Transistor-IC

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

40A

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

1350V

Maximale Verlustleistung Pd

310W

Gehäusegröße

TO-247

Montageart

Durchsteckmontage

Kabelkanaltyp

Typ N

Pinanzahl

3

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

1.85V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

±25 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

42mm

Serie

Resonant Switching

Höhe

5.21mm

Normen/Zulassungen

IEC61249-2-21, RoHS

Automobilstandard

Nein

Der bipolare Infineon Reverse-leitfähige Isolier-Gate-Transistor mit monolithischer Gehäusediode bietet eine hohe Durchschlagsspannung von 1350 V.

Hoher Wirkungsgrad

Niedrige Schaltverluste

Erhöhte Zuverlässigkeit

Geringe elektromagnetische Störungen

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