Infineon IGBT / 90 A ±20V max., 600 V 333 W, 3-Pin PG-TO263-3

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RS Best.-Nr.:
215-6630
Herst. Teile-Nr.:
IGB50N60TATMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Dauer-Kollektorstrom max.

90 A

Kollektor-Emitter-Spannung

600 V

Gate-Source Spannung max.

±20V

Verlustleistung max.

333 W

Gehäusegröße

PG-TO263-3

Pinanzahl

3

Der Infineon verlustarme bipolare Transistor mit isoliertem Gate in Trenchstop- und Fieldstop-Technologie.

Hoher Wirkungsgrad
Niedrige Schaltverluste
Erhöhte Zuverlässigkeit
Geringe elektromagnetische Störungen

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