onsemi IGBT / 40 A, 1200 V 227 W, 4-Pin TO-247 Typ P-Kanal Durchsteckmontage

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onsemi IGBT / 40 A, 1200 V 227 W, 4-Pin TO-247 Typ P-Kanal Durchsteckmontage
RS Best.-Nr.
178-4321

1 Stück (in Stange zu 30)

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(ohne MwSt.)

€ 5,933

(inkl. MwSt.)

RS Best.-Nr.:
178-4594
Herst. Teile-Nr.:
FGH40T120SQDNL4
Hersteller:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

IGBT

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

40A

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

1200V

Maximale Verlustleistung Pd

227W

Gehäusegröße

TO-247

Montageart

Durchsteckmontage

Kabelkanaltyp

Typ P

Pinanzahl

4

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

1.78V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

±30 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Serie

Field Stop

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Dieser Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode (IGBT) ist mit der robusten und kostengünstigen Ultra-Feldsperren-Trench-Konstruktion ausgestattet und bietet überlegene Leistung bei anspruchsvollen Anwendungen dank niedriger Durchlassspannung und minimalen Schaltverlusten. IGBT sind optimal für UVS und Solar-Anwendungen geeignet. In das Gerät integriert ist eine weiche und schnelle Freilaufdiode mit niedriger Durchlassspannung.

Extrem effizienter Trench mit Feldsperren-Technologie • TJmax = 175 °C • Diode mit weicher und schneller Umkehr-Erholungsladung • optimiert für hohe Schaltgeschwindigkeiten • Diese Geräte sind Pb-frei

Anwendungen

Solar-Wechselrichter, USV, Schweißen

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