onsemi IGBT / 40 A, 1200 V 227 W, 4-Pin TO-247 Typ P-Kanal Durchsteckmontage
- RS Best.-Nr.:
- 178-4594
- Herst. Teile-Nr.:
- FGH40T120SQDNL4
- Hersteller:
- onsemi
Lieferengpass
Aufgrund eines weltweiten Versorgungsengpasses können wir keine Angaben machen, wann dieser Artikel wieder vorrätig sein wird.
Alternative
Dieses Produkt ist derzeit nicht verfügbar. Folgende mögliche Alternative können wir anbieten:
1 Stück (in Stange zu 30)
€ 148,32
(ohne MwSt.)
€ 177,98
(inkl. MwSt.)
- RS Best.-Nr.:
- 178-4594
- Herst. Teile-Nr.:
- FGH40T120SQDNL4
- Hersteller:
- onsemi
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 40A | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 1200V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 227W | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | ±30 V | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 1.78V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Serie | Field Stop | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 40A | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 1200V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 227W | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Pinanzahl 4 | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO ±30 V | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 1.78V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Serie Field Stop | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Dieser Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode (IGBT) ist mit der robusten und kostengünstigen Ultra-Feldsperren-Trench-Konstruktion ausgestattet und bietet überlegene Leistung bei anspruchsvollen Anwendungen dank niedriger Durchlassspannung und minimalen Schaltverlusten. IGBT sind optimal für UVS und Solar-Anwendungen geeignet. In das Gerät integriert ist eine weiche und schnelle Freilaufdiode mit niedriger Durchlassspannung.
Extrem effizienter Trench mit Feldsperren-Technologie • TJmax = 175 °C • Diode mit weicher und schneller Umkehr-Erholungsladung • optimiert für hohe Schaltgeschwindigkeiten • Diese Geräte sind Pb-frei
Anwendungen
Solar-Wechselrichter, USV, Schweißen
Verwandte Links
- onsemi IGBT / 40 A 4-Pin TO-247 Typ P-Kanal Durchsteckmontage
- onsemi IGBT / 60 A 3-Pin TO-247 G03 Typ P-Kanal Durchsteckmontage
- onsemi IGBT / 75 A 4-Pin TO-247 Typ P-Kanal Durchsteckmontage
- onsemi IGBT / 75 A 4-Pin TO-247 Typ P-Kanal Durchsteckmontage
- Infineon IGBT / 85 A 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage
- Infineon IGBT-Einzel-Transistor-IC / 85 A 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage
- onsemi IGBT-Leistungsmodul / 800 A Halbbrücke 11-Pin PIM11 Typ N, Typ P-Kanal Durchsteckmontage
- onsemi IGBT / 40 A 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage