onsemi IGBT-Leistungsmodul / 800 A Halbbrücke, 1200 V, 11-Pin PIM11 Typ N, Typ P-Kanal Durchsteckmontage

Alle IGBT anzeigen

Zwischensumme (1 Stück)*

€ 202,16

(ohne MwSt.)

€ 242,59

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 24 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
1 +€ 202,16

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
277-059
Herst. Teile-Nr.:
NXH800H120L7QDSG
Hersteller:
onsemi
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

onsemi

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

800A

Produkt Typ

IGBT-Leistungsmodul

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

1200V

Anzahl an Transistoren

2

Konfiguration

Halbbrücke

Gehäusegröße

PIM11

Montageart

Durchsteckmontage

Kabelkanaltyp

Typ N, Typ P

Pinanzahl

11

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

2.05V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

20 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Höhe

20.8mm

Länge

152mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Das Halbbrücken-IGBT-Leistungsmodul von ON Semiconductor verfügt über integrierte Field Stop Trench 7-IGBTs und Gen. 7-Dioden, die für geringere Leitungs- und Schaltverluste sorgen. Diese Konstruktion ermöglicht einen hohen Wirkungsgrad und eine hohe Zuverlässigkeit. Das Modul ist als 1200 V, 800 A 2-in-1-Halbbrücke konfiguriert, womit es ideal für Anwendungen ist, die eine robuste Leistung und eine optimale Leistungsumwandlungseffizienz erfordern.

NTC-Thermistor

Isolierte Grundplatte

Lötbare Stifte

Niederinduktive Auslegung

Bleifrei

Verwandte Links