onsemi IGBT / 60 A ±30V max. , 650 V 333 W, 3-Pin TO-247 G03 P-Kanal

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RS Best.-Nr.:
178-4259
Herst. Teile-Nr.:
FGH60T65SQD-F155
Hersteller:
onsemi
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Marke

onsemi

Dauer-Kollektorstrom max.

60 A

Kollektor-Emitter-Spannung

650 V

Gate-Source Spannung max.

±30V

Verlustleistung max.

333 W

Anzahl an Transistoren

1

Gehäusegröße

TO-247 G03

Montage-Typ

THT

Channel-Typ

P

Pinanzahl

3

Transistor-Konfiguration

Einfach

Abmessungen

15.87 x 4.82 x 20.82mm

Gate-Kapazität

3813pF

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Nennleistung

50mJ

Ursprungsland:
CN
Dank der neuartigen Feldsperren-IGBT-Technologie bietet die neue Serie der Feldsperren-IGBTs der 4. Generation von ON Semiconductor optimale Leistung für Solar-Wechselrichter, USV, Schweißgeräte, Telekommunikation, ESS- und PFC-Anwendungen, bei denen niedrige Leitungs- und Schaltverluste unentbehrlich sind.

Maximale Sperrschichttemperatur: 175°C
Positiver Temperaturkoeffizient für einfachen Parallelbetrieb
Hohe Strombelastbarkeit
Niedrige Sättigungsspannung: VCE(sat) = 1,6 V (typ.) @ IC = 60 A
Hohe Eingangsimpedanz
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Enge Parameterverteilung
Anwendungen
Solar-Wechselrichter, USV, Schweißgeräte, Telekommunikation, ESS, PFC

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