Infineon Gate-Treiber MOSFET 260 mA 8-Pin SOIC 15.4V 80 ns

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RS Best.-Nr.:
226-6201
Herst. Teile-Nr.:
IRS21531DSTRPBF
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

Gate-Treiber

Ausgangsstrom

260mA

Pinanzahl

8

Abfallzeit

80ns

Gehäusegröße

SOIC

Anzahl der Ausgänge

2

Treiber-Typ

MOSFET

Anstiegszeit

220ns

Minimale Versorgungsspannung

10.1V

Maximale Versorgungsspannung

15.4V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Serie

IRS

Normen/Zulassungen

No

Breite

4mm

Länge

5mm

Höhe

1.75mm

Montageart

Oberfläche

Automobilstandard

Nein

Gate-Treiber der IRS-Serie von Infineon, 10,1 V Mindestversorgungsspannung, 260 mA Ausgangsstrom – IRS21531DSTRPBF


Dieser Gate-Treiber bietet einen Zweikanal-MOSFET-Antrieb für Niederspannungs-Schaltanwendungen und liefert kontrollierte Gate-Impulse zur Versorgung von Transistoren über einen bescheidenen Versorgungsbereich. Er ist für die Oberflächenmontage vorgesehen und arbeitet über einen breiten Temperaturbereich, der für anspruchsvolle thermische Umgebungen geeignet ist.

Merkmale und Vorteile:


• Zwei Ausgänge ermöglichen eine unabhängige MOSFET-Gate-Steuerung und eine vereinfachte Gate-Ansteuerung
• Der Ausgangsstrom von 260 mA deckt den moderaten Gate-Ladebedarf ab
• Der Versorgungsbereich von 10,1 V bis 15,4 V unterstützt gängige Niederspannungsversorgungen
• Schnelle Anstiegszeit von 220 ns ermöglicht eine schnelle Einschaltreaktion
• Die Fallzeit von 80 ns reduziert die Schaltübergangsdauer
• Ausgelegt für 150 °C ermöglicht den Betrieb bei erhöhten Sperrschichttemperaturen

Anwendungsbereich


• Wird für die Half-Bridge-MOSFET-Gate-Ansteuerung in Leistungswandlern verwendet
• Geeignet für die Gate-Steuerung mit Motorantrieb in kompakten Baugruppen
• Kann für synchrone Gleichrichterantriebe in DC/DC-Wandlern verwendet werden
• Ideal für die Gate-Ansteuerung an dichten Oberflächenmontage-Stromversorgungsmodulen
• Wird mit Niederspannungs-Batteriebetriebenen Schaltkonstruktionen verwendet

Welches Gehäuseformat sollte ich für meine Leiterplatte planen?


Er wird in einem 8-poligen SOIC-Gehäuse für Standard-Oberflächenmontage-Pads geliefert.

Wie klein ist die Grundfläche der Komponenten für enge Layouts?


Das Gehäuse misst 4 mm in der Breite und 5 mm in der Länge für eine kompakte Platzierung.

Welchen Temperaturbereich kann das Gerät während des Betriebs tolerieren?


Er ist für den Betrieb bei Temperaturen von -55 °C bis maximal 150 °C ausgelegt.

Wie viele Ausgangskanäle sind für die Gate-Signalisierung verfügbar?


Es gibt zwei unabhängige Ausgangskanäle für separate MOSFET-Gates.

Welche Befestigungsmethode ist für die Montage erforderlich?


Das Gerät ist für die Oberflächenmontage auf einer Leiterplatte vorgesehen.

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