Infineon Gate-Treiber MOSFET 260 mA 8-Pin SOIC 15.4V 80 ns

RS Best.-Nr.:: 226-6200
Herst. Teile-Nr.:: IRS21531DSTRPBF
Hersteller:: Infineon

Infineon Gate-Treiber MOSFET 260 mA 8-Pin SOIC 15.4V 80 ns

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Technische Daten des gezeigten Artikels

Datenblätter und Anleitungen

Rechtliche Anforderungen

Informationen zur Produktgruppe

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	Gate-Treiber
	Ausgangsstrom	260mA
	Pinanzahl	8
	Gehäusegröße	SOIC
	Abfallzeit	80ns
	Treiber-Typ	MOSFET
	Anzahl der Ausgänge	2
	Anstiegszeit	220ns
	Minimale Versorgungsspannung	10.1V
	Maximale Versorgungsspannung	15.4V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Länge	5mm
	Breite	4mm
	Serie	IRS
	Normen/Zulassungen	No
	Höhe	1.75mm
	Montageart	Oberfläche
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ Gate-Treiber
	Ausgangsstrom 260mA
	Pinanzahl 8
	Gehäusegröße SOIC
	Abfallzeit 80ns
	Treiber-Typ MOSFET
	Anzahl der Ausgänge 2
	Anstiegszeit 220ns
	Minimale Versorgungsspannung 10.1V
	Maximale Versorgungsspannung 15.4V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Länge 5mm
	Breite 4mm
	Serie IRS
	Normen/Zulassungen No
	Höhe 1.75mm
	Montageart Oberfläche
	Automobilstandard Nein

Datasheet - IRS21531DSTRPBF

Gate-Treiber der IRS-Serie von Infineon, 10,1 V Mindestversorgungsspannung, 260 mA Ausgangsstrom – IRS21531DSTRPBF

Dieser Gate-Treiber bietet einen Zweikanal-MOSFET-Antrieb für Niederspannungs-Schaltanwendungen und liefert kontrollierte Gate-Impulse zur Versorgung von Transistoren über einen bescheidenen Versorgungsbereich. Er ist für die Oberflächenmontage vorgesehen und arbeitet über einen breiten Temperaturbereich, der für anspruchsvolle thermische Umgebungen geeignet ist.

Merkmale und Vorteile:

• Zwei Ausgänge ermöglichen eine unabhängige MOSFET-Gate-Steuerung und eine vereinfachte Gate-Ansteuerung
• Der Ausgangsstrom von 260 mA deckt den moderaten Gate-Ladebedarf ab
• Der Versorgungsbereich von 10,1 V bis 15,4 V unterstützt gängige Niederspannungsversorgungen
• Schnelle Anstiegszeit von 220 ns ermöglicht eine schnelle Einschaltreaktion
• Die Fallzeit von 80 ns reduziert die Schaltübergangsdauer
• Ausgelegt für 150 °C ermöglicht den Betrieb bei erhöhten Sperrschichttemperaturen

Anwendungsbereich

• Wird für die Half-Bridge-MOSFET-Gate-Ansteuerung in Leistungswandlern verwendet
• Geeignet für die Gate-Steuerung mit Motorantrieb in kompakten Baugruppen
• Kann für synchrone Gleichrichterantriebe in DC/DC-Wandlern verwendet werden
• Ideal für die Gate-Ansteuerung an dichten Oberflächenmontage-Stromversorgungsmodulen
• Wird mit Niederspannungs-Batteriebetriebenen Schaltkonstruktionen verwendet

Welches Gehäuseformat sollte ich für meine Leiterplatte planen?

Er wird in einem 8-poligen SOIC-Gehäuse für Standard-Oberflächenmontage-Pads geliefert.

Wie klein ist die Grundfläche der Komponenten für enge Layouts?

Das Gehäuse misst 4 mm in der Breite und 5 mm in der Länge für eine kompakte Platzierung.

Welchen Temperaturbereich kann das Gerät während des Betriebs tolerieren?

Er ist für den Betrieb bei Temperaturen von -55 °C bis maximal 150 °C ausgelegt.

Wie viele Ausgangskanäle sind für die Gate-Signalisierung verfügbar?

Es gibt zwei unabhängige Ausgangskanäle für separate MOSFET-Gates.

Welche Befestigungsmethode ist für die Montage erforderlich?

Das Gerät ist für die Oberflächenmontage auf einer Leiterplatte vorgesehen.