Infineon Gate-Treiber MOSFET 290 mA 8-Pin SOIC 20V 60 ns
- RS Best.-Nr.:
- 226-6214
- Herst. Teile-Nr.:
- IRS2304STRPBF
- Hersteller:
- Infineon
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Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | Gate-Treiber | |
| Ausgangsstrom | 290mA | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Abfallzeit | 60ns | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Treiber-Typ | MOSFET | |
| Anzahl der Ausgänge | 2 | |
| Anstiegszeit | 120ns | |
| Minimale Versorgungsspannung | 10V | |
| Maximale Versorgungsspannung | 20V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 1.75mm | |
| Länge | 5mm | |
| Serie | IRS | |
| Breite | 4mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ Gate-Treiber | ||
Ausgangsstrom 290mA | ||
Pinanzahl 8 | ||
Abfallzeit 60ns | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Treiber-Typ MOSFET | ||
Anzahl der Ausgänge 2 | ||
Anstiegszeit 120ns | ||
Minimale Versorgungsspannung 10V | ||
Maximale Versorgungsspannung 20V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 1.75mm | ||
Länge 5mm | ||
Serie IRS | ||
Breite 4mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Montageart Oberfläche | ||
Automobilstandard Nein | ||
Gate-Treiber der IRS-Serie von Infineon, 10 V Mindestversorgungsspannung, 290 mA Ausgangsstrom – IRS2304STRPBF
Dieser Gate-Treiber ist ein MOSFET-Treiber mit zwei Ausgängen, der für die Verbindung von Niederspannungs-Steuerungslogiken mit Leistungstransistoren entwickelt wurde und einen Gate-Antrieb über einen moderaten Versorgungsbereich für oberflächenmontierte Anwendungen in kompakten Baugruppen bietet.
Merkmale und Vorteile:
• Die minimale Versorgung von 10 V ermöglicht den Betrieb von Niederspannungsschienen
• Die maximale Versorgung von 20 V toleriert erhöhte Gate-Treiberanforderungen
• 290 mA Ausgangsstrom liefert eine hohe Schaltleistung
• Die Anstiegszeit von 120 ns unterstützt mäßig schnelle Einschaltübergänge
• Die Abfallzeit von 60 ns ermöglicht eine schnelle Abschaltung für geringere Schaltverluste
• 8-poliges SOIC-Gehäuse vereinfacht die Platzierung der Platine und das Löten
• Die maximale Versorgung von 20 V toleriert erhöhte Gate-Treiberanforderungen
• 290 mA Ausgangsstrom liefert eine hohe Schaltleistung
• Die Anstiegszeit von 120 ns unterstützt mäßig schnelle Einschaltübergänge
• Die Abfallzeit von 60 ns ermöglicht eine schnelle Abschaltung für geringere Schaltverluste
• 8-poliges SOIC-Gehäuse vereinfacht die Platzierung der Platine und das Löten
Anwendungsbereich
• Geeignet für die Zweikanal-Power-Stage-Gate-Steuerung
• Ideal für kompakte oberflächenmontierte Leistungswandler
• Wird mit MOSFETs verwendet, die einen mittleren Antriebsstrom erfordern
• Kann für synchrone Schaltstufen verwendet werden
• Wird für die Gate-Ansteuerung in einem breiten Temperaturbereich verwendet
• Ideal für kompakte oberflächenmontierte Leistungswandler
• Wird mit MOSFETs verwendet, die einen mittleren Antriebsstrom erfordern
• Kann für synchrone Schaltstufen verwendet werden
• Wird für die Gate-Ansteuerung in einem breiten Temperaturbereich verwendet
In welchem Temperaturbereich kann er verwendet werden?
Es arbeitet zwischen -40 °C und 150 °C und ermöglicht so den Einsatz in einem breiten Spektrum von thermischen Umgebungen.
Welche Montageart ist für die Leiterplattenmontage erforderlich?
Das Gerät wird in einem oberflächenmontierten SOIC-Gehäuse geliefert, das für das Reflow-Löten auf Leiterplatten ausgelegt ist.
Wie viele Ausgänge sind für die Ansteuerung von Transistoren verfügbar?
Es bietet zwei Ausgänge, sodass Sie zwei MOSFET-Gatter unabhängig voneinander steuern können.
Welcher Anzahl von Pins und welchem Gehäuseprofil folgt er?
Die Komponente ist eine 8-polige SOIC-Bauform, die für platzsparende Layouts geeignet ist.
Welche Art von Treiberfunktionalität bietet er?
Er fungiert als MOSFET-Gate-Treiber und wandelt Versorgungs- und Logikeingänge in Gate-Drive-Signale um.
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