ROHM GaN-FET 11 A 1 8-Pin 650V 8.3 ns
- RS Best.-Nr.:
- 264-698
- Herst. Teile-Nr.:
- GNP1150TCA-ZE2
- Hersteller:
- ROHM
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Produkt Typ | GaN-FET | |
| Ausgangsstrom | 11A | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Abfallzeit | 8.3ns | |
| Anstiegszeit | 5.3ns | |
| Maximale Versorgungsspannung | 650V | |
| Anzahl der Treiber | 1 | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Höhe | 0.9mm | |
| Serie | GNP1150TCA-Z NA | |
| Länge | 8mm | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Produkt Typ GaN-FET | ||
Ausgangsstrom 11A | ||
Pinanzahl 8 | ||
Abfallzeit 8.3ns | ||
Anstiegszeit 5.3ns | ||
Maximale Versorgungsspannung 650V | ||
Anzahl der Treiber 1 | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Höhe 0.9mm | ||
Serie GNP1150TCA-Z NA | ||
Länge 8mm | ||
Montageart Oberfläche | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- TW
Der ROHM E-Mode Gallium-Nitrid (GaN) FET ist ein 650V GaN HEMT, der die höchste FOM-Klasse der Branche erreicht hat (Ron Ciss Ron Coss). Es handelt sich um ein Produkt der EcoGaN-Serie, das durch die optimale Nutzung des niedrigen ON-Widerstands und der hohen Schaltgeschwindigkeit zur Leistungsumwandlungseffizienz und Größenreduzierung beiträgt. Die eingebaute ESD-Schutzfunktion sorgt für hohe Zuverlässigkeit. Darüber hinaus bieten die äußerst vielseitigen Gehäuse eine hervorragende Wärmeableitung und erleichtern die Montage.
650V E-Mode GaN FET
70mΩ Widerstand
5,2nC Gate-Ladung
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