ROHM Leistungs-Transistor 20 A 8-Pin DFN-8080K 750 V 8.7 ns

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264-697
Herst. Teile-Nr.:
GNP1070TC-ZE2
Hersteller:
ROHM
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Marke

ROHM

Produkt Typ

Leistungs-Transistor

Ausgangsstrom

20A

Pinanzahl

8

Abfallzeit

8.7ns

Gehäusegröße

DFN-8080K

Anstiegszeit

6.9ns

Minimale Versorgungsspannung

24V

Maximale Versorgungsspannung

750V

Betriebstemperatur min.

-10°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Serie

GNP1070TC NA

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
TW
Der ROHM E-Mode Gallium-Nitrid (GaN) FET ist ein 650V GaN HEMT, der die höchste FOM-Klasse der Branche erreicht hat (Ron Ciss Ron Coss). Es handelt sich um ein Produkt der EcoGaN-Serie, das durch die optimale Nutzung des niedrigen ON-Widerstands und der hohen Schaltgeschwindigkeit zur Leistungsumwandlungseffizienz und Größenreduzierung beiträgt. Die eingebaute ESD-Schutzfunktion sorgt für hohe Zuverlässigkeit. Darüber hinaus bieten die äußerst vielseitigen Gehäuse eine hervorragende Wärmeableitung und erleichtern die Montage.

650V E-Mode GaN FET

70mΩ Widerstand

5,2nC Gate-Ladung

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