onsemi Gate-Treiber-Modul Isolierter Gattertreiber 9 A 1 8-Pin SOIC-8 20 V 8.3 ns
- RS Best.-Nr.:
- 277-028
- Herst. Teile-Nr.:
- NCV51152CADR2G
- Hersteller:
- onsemi
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Rolle mit 5 Stück)*
€ 10,41
(ohne MwSt.)
€ 12,49
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 31. August 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Gurtabschnitt* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | € 2,082 | € 10,41 |
| 50 - 95 | € 1,978 | € 9,89 |
| 100 - 495 | € 1,832 | € 9,16 |
| 500 - 995 | € 1,684 | € 8,42 |
| 1000 + | € 1,624 | € 8,12 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 277-028
- Herst. Teile-Nr.:
- NCV51152CADR2G
- Hersteller:
- onsemi
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | Gate-Treiber-Modul | |
| Ausgangsstrom | 9A | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Abfallzeit | 8.3ns | |
| Gehäusegröße | SOIC-8 | |
| Anzahl der Ausgänge | 2 | |
| Treiber-Typ | Isolierter Gattertreiber | |
| Anstiegszeit | 22ns | |
| Minimale Versorgungsspannung | 3V | |
| Anzahl der Treiber | 1 | |
| Maximale Versorgungsspannung | 20V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | CQC per GB4943.1-2011 (Planned), UL1577 (Planned), SGS FIMO per IEC 62386-1 (Planned), AEC-Q100-011 | |
| Länge | 5mm | |
| Höhe | 1.75mm | |
| Serie | NCV51152 | |
| Breite | 4 mm | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Automobilstandard | AEC-Q100 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ Gate-Treiber-Modul | ||
Ausgangsstrom 9A | ||
Pinanzahl 8 | ||
Abfallzeit 8.3ns | ||
Gehäusegröße SOIC-8 | ||
Anzahl der Ausgänge 2 | ||
Treiber-Typ Isolierter Gattertreiber | ||
Anstiegszeit 22ns | ||
Minimale Versorgungsspannung 3V | ||
Anzahl der Treiber 1 | ||
Maximale Versorgungsspannung 20V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen CQC per GB4943.1-2011 (Planned), UL1577 (Planned), SGS FIMO per IEC 62386-1 (Planned), AEC-Q100-011 | ||
Länge 5mm | ||
Höhe 1.75mm | ||
Serie NCV51152 | ||
Breite 4 mm | ||
Montageart Oberfläche | ||
Automobilstandard AEC-Q100 | ||
- Ursprungsland:
- PH
Der isolierte Einkanal-Gate-Treiber von ON Semiconductor ist für das schnelle Schalten von Leistungs-MOSFETs und SiC-MOSFET-Leistungsschaltern ausgelegt. Er zeichnet sich durch kurze und angepasste Ausbreitungsverzögerungen aus, ist in einem kompakten 4 mm SOIC-8-Gehäuse untergebracht und unterstützt eine Isolationsspannung von bis zu 3,75 kVRMS. Darüber hinaus verfügt es über wichtige Schutzfunktionen wie eine unabhängige Unterspannungssperre für beide Seiten des Treibers.
Ausbreitungsverzögerung typisch 36 ns mit 5 ns maximaler Verzögerungsanpassung
AEC Q100-qualifiziert für die Anforderungen von Automobilanwendungen
Negative 5 V Belastbarkeit der Eingangsstifte
Verwandte Links
- onsemi NCV51152BADR2G Gate-Treiber-Modul Isolierter Gattertreiber 9 A 1 8-Pin SOIC-8 20 V 8.3 ns
- onsemi NCP51752DBDR2G Gate-Treiber-Modul Isolierter Gattertreiber 9 A 1 8-Pin SOIC-8 20 V 8.3 ns
- onsemi NCP51152BADR2G Gate-Treiber-Modul Isolierter Gattertreiber 9 A 1 8-Pin SOIC-8 20 V 8.3 ns
- onsemi NCV51752CBDR2G Gate-Treiber-Modul Isolierter Gattertreiber 9 A 1 8-Pin SOIC-8 NB 30 V 8.3 ns
- onsemi NCV51752CDDR2G MOSFET MOSFET 9 A 1 8-Pin SOIC-8 NB 20 V 8.3 ns
- onsemi NCP51752CDDR2G MOSFET MOSFET 9 A 1 8-Pin SOIC-8 NB 20 V 8.3 ns
- ROHM GNP1150TCA-ZE2 GaN-FET 11 A 1 8-Pin 650 V 8.3 ns
- Infineon 1EDI2010ASXUMA1 Gate-Treiber-Modul Isolierter Gattertreiber 36-Pin DSO 5.5 V 235 ns