Infineon Gate-Treiber-IC Isolierter Gattertreiber 1 A 1 8-Pin DSO-8 20 V 70 ns
- RS Best.-Nr.:
- 349-170
- Herst. Teile-Nr.:
- 2ED2388S06FXUMA1
- Hersteller:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 349-170
- Herst. Teile-Nr.:
- 2ED2388S06FXUMA1
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | Gate-Treiber-IC | |
| Ausgangsstrom | 1A | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Abfallzeit | 70ns | |
| Gehäusegröße | DSO-8 | |
| Anzahl der Ausgänge | 2 | |
| Treiber-Typ | Isolierter Gattertreiber | |
| Anstiegszeit | 70ns | |
| Minimale Versorgungsspannung | 10V | |
| Anzahl der Treiber | 1 | |
| Maximale Versorgungsspannung | 20V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 125°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Höhe | 1.75mm | |
| Serie | 2ED2388S06F | |
| Breite | 3.9 mm | |
| Länge | 4.9mm | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ Gate-Treiber-IC | ||
Ausgangsstrom 1A | ||
Pinanzahl 8 | ||
Abfallzeit 70ns | ||
Gehäusegröße DSO-8 | ||
Anzahl der Ausgänge 2 | ||
Treiber-Typ Isolierter Gattertreiber | ||
Anstiegszeit 70ns | ||
Minimale Versorgungsspannung 10V | ||
Anzahl der Treiber 1 | ||
Maximale Versorgungsspannung 20V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 125°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Höhe 1.75mm | ||
Serie 2ED2388S06F | ||
Breite 3.9 mm | ||
Länge 4.9mm | ||
Montageart Oberfläche | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- TH
Der 650-V-Halbbrücken-Gate-Treiber von Infineon mit typischen 0,29-A-Source- und 0,7-A-Sink-Strömen im DSO-8-Gehäuse zur Ansteuerung von Leistungs-MOSFETs und IGBTs. Basierend auf unserer SOI-Technologie bietet er eine ausgezeichnete Robustheit und Störfestigkeit gegen negative transiente Spannungen am VS-Pin. Da der Baustein keine parasitären Thyristorstrukturen aufweist, kann es unter allen Temperatur- und Spannungsbedingungen zu keinem parasitären Latch-up kommen.
Negative VS-Transienten-Immunität von 100 V
Integrierte ultraschnelle und niederohmige Bootstrap-Diode
90 ns Ausbreitungsverzögerung
Schwimmend gelagerter Kanal für den Bootstrap-Betrieb
Unabhängige Kontermutter für beide Kanäle bei Unterspannung
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