Infineon FRAM 4 kB, 512 x 8 bit 3000 ns Serial-I2C (2-Draht) Oberfläche SOIC 8-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 188-5395
- Herst. Teile-Nr.:
- FM24C04B-G
- Hersteller:
- Infineon
Derzeit nicht erhältlich
Wir wissen nicht, ob wir diesen Artikel noch einmal auf Lager haben werden. RS beabsichtigt, ihn bald aus dem Sortiment zu nehmen.
- RS Best.-Nr.:
- 188-5395
- Herst. Teile-Nr.:
- FM24C04B-G
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | FRAM | |
| Speicher Größe | 4 kB | |
| Organisation | 512 x 8 bit | |
| Zugriffszeit max. | 3000 ns | |
| Schnittstellentyp | Serial-I2C (2-Draht) | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Automobilstandard | AEC-Q100 | |
| Datenbus-Breite | 8 bit | |
| Höhe | 1.48 mm | |
| Länge | 4.97 mm | |
| Maximale Betriebstemperatur | 85 °C | |
| Betriebstemperatur min. | -40 °C | |
| Anzahl der Bits pro Wort | 8 | |
| Anzahl der Wörter | 512 | |
| Breite | 3.98 mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ FRAM | ||
Speicher Größe 4 kB | ||
Organisation 512 x 8 bit | ||
Zugriffszeit max. 3000 ns | ||
Schnittstellentyp Serial-I2C (2-Draht) | ||
Montageart Oberfläche | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Pinanzahl 8 | ||
Automobilstandard AEC-Q100 | ||
Datenbus-Breite 8 bit | ||
Höhe 1.48 mm | ||
Länge 4.97 mm | ||
Maximale Betriebstemperatur 85 °C | ||
Betriebstemperatur min. -40 °C | ||
Anzahl der Bits pro Wort 8 | ||
Anzahl der Wörter 512 | ||
Breite 3.98 mm | ||
- Ursprungsland:
- US
FRAM, Cypress Semiconductor
Ferroelectric Random Access Memory (F-RAM) is energy-efficient and it has the highest-reliability of the non-volatile RAMs for both serial and parallel interfaces. Parts with suffix A are designed for automotive applications and are AEC-Q100 qualified.
Nonvolatile Ferroelectric RAM Memory
Fast write speed
High endurance
Low power consumption
FRAM (Ferroelectric RAM)
FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory that uses ferroelectric film as a capacitor for storing data. Possessing characteristics of both ROM and RAM devices, F-RAM features high-speed access, high endurance in write mode, low power consumption, non-volatility, and excellent tamper resistance. It is therefore Ideal memory for use in smart cards which need high security and low power consumption, as well as cellular phones and other devices.
Verwandte Links
- Infineon FRAM 4 kB, 512 x 8 bit 3000 ns Serial-I2C (2-Draht) Oberfläche SOIC 8-Pin
- Infineon FRAM 4 kB, 512 x 8 bit 10 ns Oberfläche SOIC 8-Pin
- Infineon FRAM 4 kB, 512 x 8 bit Seriell-I2C SOIC-8 8-Pin
- Infineon FRAM 4 kB, 512 x 8 bit 20 ns SPI Oberfläche SOIC 8-Pin
- Infineon FRAM 4 kB, 512 x 8 bit Seriell-SPI SOIC 8-Pin
- Infineon FRAM 256 kB, 32K x 8 bit 3000 ns 2-adriger I2C Oberfläche SOIC 8-Pin
- Infineon FRAM 16 kB, 2K x 8 bit 3000 ns 2-adriger I2C Oberfläche SOIC 8-Pin
- Infineon FRAM 64 kB, 8K x 8 bit 3000 ns Oberfläche SOIC 14-Pin