Infineon FRAM 4 kB, 512 x 8 bit 10 ns Oberfläche SOIC 8-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 215-5779P
- Herst. Teile-Nr.:
- FM24C04B-GTR
- Hersteller:
- Infineon
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Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
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Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Speicher Größe | 4kB | |
| Produkt Typ | FRAM | |
| Organisation | 512 x 8 bit | |
| Datenbus-Breite | 8bit | |
| Zugriffszeit max. | 10ns | |
| Taktfrequenz max. | 1MHz | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Länge | 4.97mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 1.48mm | |
| Breite | 3.98 mm | |
| Maximale Betriebstemperatur | 85°C | |
| Automobilstandard | AEC-Q100 | |
| Maximale Versorgungsspannung | 5.5V | |
| Minimale Versorgungsspannung | 4.5V | |
| Anzahl der Wörter | 512 | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Anzahl der Bits pro Wort | 8 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Speicher Größe 4kB | ||
Produkt Typ FRAM | ||
Organisation 512 x 8 bit | ||
Datenbus-Breite 8bit | ||
Zugriffszeit max. 10ns | ||
Taktfrequenz max. 1MHz | ||
Montageart Oberfläche | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Pinanzahl 8 | ||
Länge 4.97mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 1.48mm | ||
Breite 3.98 mm | ||
Maximale Betriebstemperatur 85°C | ||
Automobilstandard AEC-Q100 | ||
Maximale Versorgungsspannung 5.5V | ||
Minimale Versorgungsspannung 4.5V | ||
Anzahl der Wörter 512 | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Anzahl der Bits pro Wort 8 | ||
Der Cypress Semiconductor FM24C04B ist ein nicht flüchtiger 4-Kbit-Speicher mit einem Advanced ferroelektrischen Prozess. Ein ferroelektrischer Random Access Memory oder F-RAM ist nicht flüchtig und führt Lese- und Schreibvorgänge ähnlich wie ein RAM aus. Sie bietet eine zuverlässige Datenspeicherung für 151 Jahre und beseitigt gleichzeitig die Komplexität, den Overhead und die Systemzuverlässigkeitsprobleme, die durch EEPROM und andere nicht flüchtige Speicher verursacht werden.
4-Kbit-ferroelektrischer Random Access Memory (F-RAM), logisch organisiert als 512 x 8
Langlebige Lese-/Schreibvorgänge von 100 Trillion (1014)
151 Jahre Datenspeicherung
NODELAY ® schreibt
Advanced hochzuverlässiger ferroelektrischer Prozess
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