Infineon FRAM 4 kB, 512 x 8 bit 10 ns Oberfläche SOIC 8-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 215-5778
- Herst. Teile-Nr.:
- FM24C04B-GTR
- Hersteller:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 215-5778
- Herst. Teile-Nr.:
- FM24C04B-GTR
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- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | FRAM | |
| Speicher Größe | 4kB | |
| Organisation | 512 x 8 bit | |
| Datenbus-Breite | 8bit | |
| Zugriffszeit max. | 10ns | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Taktfrequenz max. | 1MHz | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Länge | 4.97mm | |
| Höhe | 1.48mm | |
| Breite | 3.98 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Maximale Betriebstemperatur | 85°C | |
| Anzahl der Wörter | 512 | |
| Automobilstandard | AEC-Q100 | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Minimale Versorgungsspannung | 4.5V | |
| Anzahl der Bits pro Wort | 8 | |
| Maximale Versorgungsspannung | 5.5V | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ FRAM | ||
Speicher Größe 4kB | ||
Organisation 512 x 8 bit | ||
Datenbus-Breite 8bit | ||
Zugriffszeit max. 10ns | ||
Montageart Oberfläche | ||
Taktfrequenz max. 1MHz | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Pinanzahl 8 | ||
Länge 4.97mm | ||
Höhe 1.48mm | ||
Breite 3.98 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Maximale Betriebstemperatur 85°C | ||
Anzahl der Wörter 512 | ||
Automobilstandard AEC-Q100 | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Minimale Versorgungsspannung 4.5V | ||
Anzahl der Bits pro Wort 8 | ||
Maximale Versorgungsspannung 5.5V | ||
Der Cypress Semiconductor FM24C04B ist ein nicht flüchtiger 4-Kbit-Speicher mit einem Advanced ferroelektrischen Prozess. Ein ferroelektrischer Random Access Memory oder F-RAM ist nicht flüchtig und führt Lese- und Schreibvorgänge ähnlich wie ein RAM aus. Sie bietet eine zuverlässige Datenspeicherung für 151 Jahre und beseitigt gleichzeitig die Komplexität, den Overhead und die Systemzuverlässigkeitsprobleme, die durch EEPROM und andere nicht flüchtige Speicher verursacht werden.
4-Kbit-ferroelektrischer Random Access Memory (F-RAM), logisch organisiert als 512 x 8
Langlebige Lese-/Schreibvorgänge von 100 Trillion (1014)
151 Jahre Datenspeicherung
NODELAY ® schreibt
Advanced hochzuverlässiger ferroelektrischer Prozess
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