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    Infineon FRAM-Speicher 256kbit, 32K x 8 bit 3000ns Seriell (2-Draht, I2C) SMD SOIC 8-Pin 2,7 V bis 5,5 V

    RS Best.-Nr.:
    125-4217
    Herst. Teile-Nr.:
    FM24W256-G
    Hersteller:
    Infineon
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    Datenblätter und Anleitungen


    Rechtliche Anforderungen


    Informationen zur Produktgruppe

    F-RAM, Cypress Semiconductor


    Ferroelectric Random Access Memory (F-RAM) ist energieeffizient und verfügt über die höchste Zuverlässigkeit der nicht flüchtigen RAM-Speicher sowohl für serielle als auch parallele Schnittstellen. Teile mit Suffix A wurden für den Einsatz in der Automobilindustrie konzipiert und sind AEC-Q100-zertifiziert.

    Nicht flüchtiger ferroelektrischer RAM-Speicher
    Hohe Schreibgeschwindigkeit
    Lange Lebensdauer
    Geringer Stromverbrauch


    FRAM (Ferroelectric RAM)


    FRAM (ferroelektrischer Arbeitsspeicher) ist ein nicht flüchtiger Speicher, der eine ferroelektrische Folie als Kondensator zum Speichern von Daten verwendet. Besitzt die Eigenschaften von ROM- und RAM-Elementen. F-RAM zeichnet sich durch Hochgeschwindigkeitszugriff, lange Lebensdauer im Schreibmodus, niedrigen Energieverbrauch, nicht flüchtigen Speicher und hervorragende Manipulationssicherheit aus. FRAM ist daher der ideale Speicher für Smartcards, die hohe Sicherheit und niedrigen Energieverbrauch fordern, ebenso wie für Mobiltelefone und andere Geräte.

    Technische Daten des gezeigten Artikels

    EigenschaftWert
    Speicher Größe256kbit
    Organisation32K x 8 bit
    Interface-TypSeriell (2-Draht, I2C)
    Datenbus-Breite8bit
    Zugriffszeit max.3000ns
    Montage-TypSMD
    GehäusegrößeSOIC
    Pinanzahl8
    Abmessungen4.97 x 3.98 x 1.48mm
    Länge4.97mm
    Arbeitsspannnung max.5,5 V
    Breite3.98mm
    Höhe1.48mm
    Betriebstemperatur max.+85 °C
    Anzahl der Bits pro Wort8bit
    Arbeitsspannnung min.2,7 V
    Betriebstemperatur min.–40 °C
    Anzahl der Wörter32K
    AutomobilstandardAEC-Q100
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