- RS Best.-Nr.:
- 188-5400
- Herst. Teile-Nr.:
- FM24CL16B-G
- Hersteller:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 188-5400
- Herst. Teile-Nr.:
- FM24CL16B-G
- Hersteller:
- Infineon
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- US
Informationen zur Produktgruppe
FRAM, Cypress-Halbleiter
Ferroelectric Random Access Memory (F-RAM) ist energieeffizient und verfügt über die höchste Zuverlässigkeit der nicht flüchtigen RAM-Speicher sowohl für serielle als auch parallele Schnittstellen. Teile mit Suffix A wurden für den Einsatz in der Automobilindustrie konzipiert und sind AEC-Q100-zertifiziert.
Nicht flüchtiger ferroelektrischer RAM-Speicher
Hohe Schreibgeschwindigkeit
Lange Lebensdauer
Geringer Stromverbrauch
Hohe Schreibgeschwindigkeit
Lange Lebensdauer
Geringer Stromverbrauch
FRAM (Ferroelectric RAM)
FRAM (ferroelektrischer Arbeitsspeicher) ist ein nicht flüchtiger Speicher, der eine ferroelektrische Folie als Kondensator zum Speichern von Daten verwendet. Besitzt die Eigenschaften von ROM- und RAM-Elementen. F-RAM zeichnet sich durch Hochgeschwindigkeitszugriff, lange Lebensdauer im Schreibmodus, niedrigen Energieverbrauch, nicht flüchtigen Speicher und hervorragende Manipulationssicherheit aus. FRAM ist daher der ideale Speicher für Smartcards, die hohe Sicherheit und niedrigen Energieverbrauch fordern, ebenso wie für Mobiltelefone und andere Geräte.
Technische Daten des gezeigten Artikels
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Speicher Größe | 16kbit |
Organisation | 2K x 8 Bit |
Interface-Typ | I2C |
Datenbus-Breite | 8bit |
Zugriffszeit max. | 3000ns |
Montage-Typ | SMD |
Gehäusegröße | SOIC |
Pinanzahl | 8 |
Abmessungen | 4.97 x 3.98 x 1.48mm |
Länge | 4.97mm |
Breite | 3.98mm |
Arbeitsspannnung max. | 3,65 V |
Höhe | 1.48mm |
Betriebstemperatur max. | +85 °C |
Automobilstandard | AEC-Q100 |
Arbeitsspannnung min. | 2,7 V |
Betriebstemperatur min. | –40 °C |
Anzahl der Wörter | 2k |
Anzahl der Bits pro Wort | 8bit |