Infineon FRAM 4 kB, 512 x 8 bit 3000 ns Serial-I2C (2-Draht) SMD SOIC 8-Pin

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
125-4207
Herst. Teile-Nr.:
FM24C04B-G
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Speicher Größe

4kB

Produkt Typ

FRAM

Organisation

512 x 8 bit

Schnittstellentyp

Serial-I2C (2-Draht)

Datenbus-Breite

8bit

Zugriffszeit max.

3000ns

Montageart

SMD

Gehäusegröße

SOIC

Pinanzahl

8

Länge

4.97mm

Breite

3.98 mm

Höhe

1.48mm

Maximale Betriebstemperatur

85°C

Automobilstandard

AEC-Q100

Anzahl der Wörter

512

Betriebstemperatur min.

-40°C

Anzahl der Bits pro Wort

8

FRAM, Cypress Semiconductor


Ferroelektrischer Random Access Memory (F-RAM) ist energieeffizient und verfügt über die höchste Zuverlässigkeit der nichtflüchtigen RAMs sowohl für serielle als auch für parallele Schnittstellen. Teile mit dem Suffix A sind für Automobilanwendungen konzipiert und AEC-Q100 qualifiziert.

Nichtflüchtiger ferroelektrischer RAM-Speicher

Schnelle Schreibgeschwindigkeit

Hohe Ausdauer

Niedriger Energiebedarf

FRAM (ferroelektrischer RAM)


FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) ist ein nichtflüchtiger Speicher, der ferroelektrische Folie als Kondensator zur Speicherung von Daten verwendet. F-RAM verfügt über Eigenschaften von ROM- und RAM-Geräten und verfügt über einen schnellen Zugriff, eine hohe Ausdauer im Schreibmodus, einen geringen Stromverbrauch, Nichtflüchtigkeit und ausgezeichnete Manipulationssicherheit. Er ist daher der ideale Speicher für den Einsatz in Smartkarten, die eine hohe Sicherheit und einen geringen Stromverbrauch erfordern, sowie in Mobiltelefonen und anderen Geräten.

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