Infineon FRAM 4 kB, 512 x 8 bit 3000 ns Serial-I2C (2-Draht) SMD SOIC 8-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 125-4207
- Herst. Teile-Nr.:
- FM24C04B-G
- Hersteller:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 125-4207
- Herst. Teile-Nr.:
- FM24C04B-G
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- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | FRAM | |
| Speicher Größe | 4kB | |
| Organisation | 512 x 8 bit | |
| Schnittstellentyp | Serial-I2C (2-Draht) | |
| Datenbus-Breite | 8bit | |
| Zugriffszeit max. | 3000ns | |
| Montageart | SMD | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Länge | 4.97mm | |
| Höhe | 1.48mm | |
| Breite | 3.98mm | |
| Maximale Betriebstemperatur | 85°C | |
| Anzahl der Wörter | 512 | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Automobilstandard | AEC-Q100 | |
| Anzahl der Bits pro Wort | 8 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ FRAM | ||
Speicher Größe 4kB | ||
Organisation 512 x 8 bit | ||
Schnittstellentyp Serial-I2C (2-Draht) | ||
Datenbus-Breite 8bit | ||
Zugriffszeit max. 3000ns | ||
Montageart SMD | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Pinanzahl 8 | ||
Länge 4.97mm | ||
Höhe 1.48mm | ||
Breite 3.98mm | ||
Maximale Betriebstemperatur 85°C | ||
Anzahl der Wörter 512 | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Automobilstandard AEC-Q100 | ||
Anzahl der Bits pro Wort 8 | ||
FRAM, Cypress Semiconductor
Ferroelektrischer Random Access Memory (F-RAM) ist energieeffizient und verfügt über die höchste Zuverlässigkeit der nichtflüchtigen RAMs sowohl für serielle als auch für parallele Schnittstellen. Teile mit dem Suffix A sind für Automobilanwendungen konzipiert und AEC-Q100 qualifiziert.
Nichtflüchtiger ferroelektrischer RAM-Speicher
Schnelle Schreibgeschwindigkeit
Hohe Ausdauer
Niedriger Energiebedarf
FRAM (ferroelektrischer RAM)
FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) ist ein nichtflüchtiger Speicher, der ferroelektrische Folie als Kondensator zur Speicherung von Daten verwendet. F-RAM verfügt über Eigenschaften von ROM- und RAM-Geräten und verfügt über einen schnellen Zugriff, eine hohe Ausdauer im Schreibmodus, einen geringen Stromverbrauch, Nichtflüchtigkeit und ausgezeichnete Manipulationssicherheit. Er ist daher der ideale Speicher für den Einsatz in Smartkarten, die eine hohe Sicherheit und einen geringen Stromverbrauch erfordern, sowie in Mobiltelefonen und anderen Geräten.
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