onsemi NPN Darlington-Transistor 350 V 4 A HFE:2000, DPAK (TO-252) 3-Pin Einfach

RS Best.-Nr.:: 806-5046
Herst. Teile-Nr.:: NJD35N04T4G
Hersteller:: onsemi

onsemi NPN Darlington-Transistor 350 V 4 A HFE:2000, DPAK (TO-252) 3-Pin Einfach

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RS Best.-Nr.:: 806-5046
Herst. Teile-Nr.:: NJD35N04T4G
Hersteller:: onsemi

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Transistor-Typ	NPN
Dauer-Kollektorstrom max.	4 A
Kollektor-Emitter-Spannung	350 V
Basis-Emitter Spannung max.	5 V
Gehäusegröße	DPAK (TO-252)
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Transistor-Konfiguration	Einfach
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Gleichstromverstärkung min.	2000
Basis-Emitter-Sättigungsspannung max.	2 V
Kollektor-Basis-Spannung max.	700 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.	1,5 V
Kollektor-Abschaltstrom max.	250mA
Länge	6.73mm
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Abmessungen	6.73 x 7.49 x 2.38mm
Breite	7.49mm
Höhe	2.38mm
Betriebstemperatur min.	-65 °C
Verlustleistung max.	45 W

onsemi NPN Darlington-Transistor 350 V 4 A HFE:2000, DPAK (TO-252) 3-Pin Einfach

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