onsemi Darlington-Transistor 1 350 V 4 A NPN HFE:300, TO-252 3-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 163-0785
- Herst. Teile-Nr.:
- NJD35N04T4G
- Hersteller:
- onsemi
Zwischensumme (1 Rolle mit 2500 Stück)*
€ 1.140,00
(ohne MwSt.)
€ 1.367,50
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 02. Juni 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 2500 + | € 0,456 | € 1.140,00 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 163-0785
- Herst. Teile-Nr.:
- NJD35N04T4G
- Hersteller:
- onsemi
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | Darlington-Transistor | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 4A | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 350V | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| DC-Stromverstärkung min. hFE | 300 | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 1.5V | |
| Kollektor-Basis Spannung max. VCBO | 700V | |
| Betriebstemperatur min. | -65°C | |
| Emitter-Basisspannung max. VEBO | 5V | |
| Polarität des Transistors | NPN | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 45W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 2.38mm | |
| Serie | NJD35N04 | |
| Breite | 6.22 mm | |
| Länge | 6.73mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Kollektor-Sperrstrom max. | 250μA | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ Darlington-Transistor | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 4A | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 350V | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
DC-Stromverstärkung min. hFE 300 | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 1.5V | ||
Kollektor-Basis Spannung max. VCBO 700V | ||
Betriebstemperatur min. -65°C | ||
Emitter-Basisspannung max. VEBO 5V | ||
Polarität des Transistors NPN | ||
Maximale Verlustleistung Pd 45W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 2.38mm | ||
Serie NJD35N04 | ||
Breite 6.22 mm | ||
Länge 6.73mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Kollektor-Sperrstrom max. 250μA | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- MY
NPN-Darlington-Transistoren, ON Semiconductor
Standards
Hersteller-Teilenummern mit S oder NSV als Präfix sind gemäß der Norm AEC-Q101 für die Automobilindustrie zugelassen.
Verwandte Links
- onsemi Darlington-Transistor 1 350 V 4 A NPN HFE:300, TO-252 3-Pin
- onsemi Darlington-Transistor 1 100 V 2 A PnP HFE:1000, TO-252 3-Pin
- onsemi Darlington-Transistor 1 100 V 8 A PnP HFE:100, TO-252 3-Pin
- onsemi Darlington-Transistor 1 100 V 2 A NPN HFE:200, TO-252 3-Pin
- onsemi Darlington-Transistor 1 100 V 2 A NPN HFE:1000, TO-252 3-Pin
- onsemi Darlington-Transistor 1 100 V 8 A NPN HFE:100, TO-252 3-Pin
- STMicroelectronics Darlington-Transistor 1 350 V 4 A NPN HFE:500, TO-220 3-Pin
- STMicroelectronics Darlington-Transistor 1 350 V 15 A NPN HFE:300, TO-3PF 3-Pin