onsemi Darlington-Transistor 1 100 V 8 A NPN HFE:100, TO-252 3-Pin

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RS Best.-Nr.:
790-5444
Herst. Teile-Nr.:
NJVMJD122T4G
Hersteller:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

Darlington-Transistor

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

8A

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

100V

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Anzahl der Elemente pro Chip

1

DC-Stromverstärkung min. hFE

100

Maximale Verlustleistung Pd

20W

Polarität des Transistors

NPN

Kollektor-Basis Spannung max. VCBO

100V

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

2V

Betriebstemperatur min.

-65°C

Emitter-Basisspannung max. VEBO

5V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

2.38mm

Serie

MJD122

Länge

6.73mm

Normen/Zulassungen

No

Kollektor-Sperrstrom max.

10μA

Automobilstandard

AEC-Q101

NPN-Darlington-Transistoren, ON Semiconductor


Standards

Hersteller-Teilenummern mit S oder NSV als Präfix sind gemäß der Norm AEC-Q101 für die Automobilindustrie zugelassen.

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