onsemi Darlington-Transistor 1 100 V 2 A NPN HFE:1000, TO-252 3-Pin

Diese Kategorie anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stange mit 75 Stück)*

€ 24,975

(ohne MwSt.)

€ 30,00

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 225 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Stange*
75 - 75€ 0,333€ 24,98
150 - 450€ 0,247€ 18,53
525 - 975€ 0,222€ 16,65
1050 - 2475€ 0,216€ 16,20
2550 +€ 0,211€ 15,83

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
121-6413
Herst. Teile-Nr.:
MJD112G
Hersteller:
onsemi
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

onsemi

Produkt Typ

Darlington-Transistor

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

2A

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

100V

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Anzahl der Elemente pro Chip

1

DC-Stromverstärkung min. hFE

1000

Kollektor-Basis Spannung max. VCBO

100V

Betriebstemperatur min.

-65°C

Maximale Verlustleistung Pd

20W

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

2V

Polarität des Transistors

NPN

Emitter-Basisspannung max. VEBO

5V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

6.73mm

Höhe

2.38mm

Breite

6.22 mm

Serie

MJD112

Kollektor-Sperrstrom max.

20μA

Automobilstandard

AEC-Q101

Ursprungsland:
MY

NPN-Darlington-Transistoren, ON Semiconductor


Standards

Hersteller-Teilenummern mit S oder NSV als Präfix sind gemäß der Norm AEC-Q101 für die Automobilindustrie zugelassen.

Verwandte Links