Infineon 1 MB SRAM 64K, 16 / Wort, SOJ 44-Pin

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RS Best.-Nr.:
194-8912
Herst. Teile-Nr.:
CY7C1021D-10VXI
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

SRAM

Speicher Größe

1MB

Organisation

64K x 16 bit

Anzahl der Wörter

64K

Anzahl der Bits pro Wort

16

Zugriffszeit max.

10ns

Minimale Versorgungsspannung

5V

Timing Typ

Asynchron

Maximale Versorgungsspannung

3.6V

Montageart

Durchsteckmontage

Betriebstemperatur min.

-40°C

Gehäusegröße

SOJ

Pinanzahl

44

Maximale Betriebstemperatur

85°C

Länge

28.7mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Breite

10.29 mm

Höhe

3.05mm

Dieses Gerät verfügt über eine automatische Abschaltfunktion, die den Stromverbrauch erheblich reduziert, wenn sie abgewählt wird. Die Eingangs- und Ausgangsstifte (I/O0 bis I/O15) befinden sich in einem hohen Impedanzzustand, wenn das Gerät deaktiviert wird (CE HIGH), die Ausgänge deaktiviert sind (OE HIGH), BHE und BLE deaktiviert sind (BHE, BLE HIGH) oder während eines Schreibvorgangs (CE LOW und WE LOW). Schreiben Sie an das Gerät, indem Sie die Eingänge Chip Enable (CE) und Write Enable (WE) LOW verwenden. Wenn Byte Low Enable (BLE) LOW ist, werden die Daten von den E/A-Stiften (E/A0 bis E/A7) an den auf den Adress-Stiften (A0 bis A15) angegebenen Ort geschrieben. Wenn Byte High Enable (BHE) LOW ist, werden die Daten von den E/A-Stiften (E/A8 bis E/A15) an den auf den Adress-Stiften (A0 bis A15) angegebenen Ort geschrieben. Lesen Sie vom Gerät aus, indem Sie Chip Enable (CE) und Output Enable (OE) LOW auswählen und Write Enable (WE) HIGH auswählen. Wenn Byte Low Enable (BLE) LOW ist, erscheinen die Daten vom Speicherort, der von den Adresspins angegeben wird, auf E/A 0 bis E/A 7.

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