Infineon 1MBit SRAM-Speicherbaustein 64k 1MHz, 16bit / Wort 16bit, SOJ 44-Pin

Dieses Gerät verfügt über eine automatische Abschaltfunktion, die den Stromverbrauch bei Auswahl deutlich reduziert. Die Eingangs- und Ausgangsstifte (E/A0 bis E/A15) werden in einen hochohmigen Zustand versetzt, wenn das Gerät abgewählt wird (CE HIGH), die Ausgänge sind deaktiviert (OE HIGH), BHE und BLE sind deaktiviert (BHE, BLE HIGH) oder während eines Schreibvorgangs (CE LOW und WE LOW). Schreiben Sie auf das Gerät, indem Sie die Chip Enable (CE)- und Write Enable (WE)-Eingänge LOW verwenden. Wenn Byte Low Enable (BLE) LOW ist, werden Daten von E/A-Pins (E/A0 bis E/A7) an die auf den Adressstiften angegebene Position geschrieben (A0 bis A15). Wenn Byte High Enable (BHE) LOW ist, werden Daten von E/A-Pins (E/A8 bis E/A15) an die auf den Adressstiften angegebene Position geschrieben (A0 bis A15).