Wurth Elektronik WE-MI SMD-Mehrschicht-Induktivität, 1 μH 50mA mit Ferrit-Kern, 0805 (2012M) Gehäuse 2mm / ±10%, 8MHz

RS Best.-Nr.:: 163-3377
Herst. Teile-Nr.:: 7447905
Hersteller:: Wurth Elektronik

Wurth Elektronik WE-MI SMD-Mehrschicht-Induktivität, 1 μH 50mA mit Ferrit-Kern, 0805 (2012M) Gehäuse 2mm / ±10%, 8MHz

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RS Best.-Nr.:: 163-3377
Herst. Teile-Nr.:: 7447905
Hersteller:: Wurth Elektronik

Datasheet
WE eiSos Embedded Flyer

Eigenschaft	Wert
Induktivität	1 μH
Gleichstrom max.	50mA
Gehäuse-Form	0805 (2012M)
Länge	2mm
Tiefe	1.2mm
Höhe	0.9mm
Abmessungen	2 x 1.2 x 0.9mm
Geschirmt	Nein
Toleranz	±10%
Gleichstromwiderstand max.	400mΩ
Serie	WE-MI
Kernmaterial	Ferrit
Resonanzfrequenz max.	85MHz
Betriebstemperatur min.	-55°C
Qualitätsfaktor min.	45
Betriebstemperatur max.	+125°C
Induktivitätsbauweise	Mehrlagig

Wurth Elektronik WE-MI SMD-Mehrschicht-Induktivität, 1 μH 50mA mit Ferrit-Kern, 0805 (2012M) Gehäuse 2mm / ±10%, 8MHz

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Magnetische geschirmte Induktivität der Serie 0805 WE-MI von Würth

Anwendungsbereich

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