Infineon SDRAM 64 MB Oberfläche 16 Bits/Wort 8 bit FBGA-24 Kugel 24-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 273-7512
- Herst. Teile-Nr.:
- S27KL0642DPBHI020
- Hersteller:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Schale mit 338 Stück)*
€ 1.099,176
(ohne MwSt.)
€ 1.318,876
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 01. Februar 2027
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Schale* |
|---|---|---|
| 338 - 676 | € 3,252 | € 1.099,18 |
| 1014 + | € 3,124 | € 1.055,91 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 273-7512
- Herst. Teile-Nr.:
- S27KL0642DPBHI020
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | SDRAM | |
| Speicher Größe | 64MB | |
| Datenbus-Breite | 8bit | |
| Taktfrequenz max. | 200MHz | |
| Anzahl der Bits pro Wort | 16 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Gehäusegröße | FBGA-24 Kugel | |
| Pinanzahl | 24 | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 105°C | |
| Breite | 8mm | |
| Serie | S27K | |
| Länge | 6mm | |
| Höhe | 1mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Maximale Versorgungsspannung | 3.6V | |
| Minimale Versorgungsspannung | 1.8V | |
| Automobilstandard | AEC-Q100 Klasse 2 und 3 | |
| Versorgungsstrom | 360μA | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ SDRAM | ||
Speicher Größe 64MB | ||
Datenbus-Breite 8bit | ||
Taktfrequenz max. 200MHz | ||
Anzahl der Bits pro Wort 16 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Gehäusegröße FBGA-24 Kugel | ||
Pinanzahl 24 | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 105°C | ||
Breite 8mm | ||
Serie S27K | ||
Länge 6mm | ||
Höhe 1mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Maximale Versorgungsspannung 3.6V | ||
Minimale Versorgungsspannung 1.8V | ||
Automobilstandard AEC-Q100 Klasse 2 und 3 | ||
Versorgungsstrom 360μA | ||
Infineons DRAM ist ein selbstauffrischender Hochgeschwindigkeits-CMOS-DRAM mit HYPERBUS-Schnittstelle. Das DRAM-Array verwendet dynamische Zellen, die in regelmäßigen Abständen aktualisiert werden müssen. Die Auffrischungssteuerungslogik innerhalb des Bausteins verwaltet die Auffrischungsvorgänge auf dem DRAM-Array, wenn der Speicher nicht aktiv vom HYPERBUS-Schnittstellenmaster gelesen oder beschrieben wird. Da der Host keine Auffrischungsvorgänge durchführen muss, erscheint das DRAM-Array für den Host so, als ob der Speicher statische Zellen verwendet, die Daten ohne Auffrischung speichern. Daher wird der Speicher genauer als Pseudo Static RAM bezeichnet.
200 MHz maximale Taktrate
Datendurchsatz bis zu 400 MBps
Bidirektionales Lese-Schreib-Daten-Strobe
Automotive AEC Q100 Grade 2 und 3
Optionales DDR Center Aligned Read Strobe
DDR überträgt Daten auf beiden Flanken des Taktes
Verwandte Links
- Infineon SDRAM 64 MB Oberfläche 16 Bits/Wort 8 bit FBGA-24 Kugel 24-Pin
- Infineon SDRAM DDR-Speicher 64 MB 8M x 8 bit Oberfläche 8 Bits/Wort 8 bit 35 ns FBGA 24-Pin
- Infineon SDRAM 64MBit 8M x 8 Bit 333Mbit/s 8bit Bits/Wort 36ns FBGA 24-Pin
- Alliance Memory SDRAM 32 GB Oberfläche 8 Bits/Wort 8 bit FBGA-78 Kugel 78-Pin
- Alliance Memory SDRAM 16 GB Oberfläche 8 Bits/Wort 8 bit FBGA-78 Kugel 78-Pin
- Alliance Memory SDRAM 8 GB 1G x 8 Oberfläche 8 Bits/Wort 8 bit FBGA-78 Kugel 78-Pin
- Alliance Memory SDRAM 8 GB 1G x 8 Oberfläche 8 Bits/Wort 8 bit FBGA-78 Kugel 96-Pin
- Alliance Memory SDRAM 512 MB Oberfläche 8 Bits/Wort 8 bit FBGA 78-Pin