Infineon SDRAM DDR-Speicher 64MBit 8 M x 8 DDR 200MHz 8bit Bits/Wort 35ns FBGA 24-Pin, 1,7 V bis 2 V

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RS Best.-Nr.:
201-7970
Herst. Teile-Nr.:
S27KS0643GABHV020
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Speicher Größe

64MBit

SDRAM-Klasse

DDR

Organisation

8 M x 8

Datenumfang

200MHz

Datenbus-Breite

8bit

Adressbusbreite

16bit

Anzahl der Bits pro Wort

8bit

Zugriffszeit max.

35ns

Anzahl der Wörter

8M

Montage-Typ

SMD

Gehäusegröße

FBGA

Pinanzahl

24

Abmessungen

8 x 6 x 1mm

Höhe

1mm

Länge

8mm

Betriebstemperatur max.

+105 °C

Breite

6mm

Arbeitsspannnung min.

1,7 V

Betriebstemperatur min.

–40 °C

Arbeitsspannnung max.

2 V

Der Cypress Semiconductor S27KL0642/S27KS0642 ist ein 64-MB-HyperRAM, ein Hochgeschwindigkeits-CMOS, selbstaktualisernder DRAM, mit HyperBus-Schnittstelle. Das Array des DRAM verwendet dynamische Zellen, die eine regelmäßige Aktualisierung erfordern. Die Refresh-Steuerungslogik, die sich innerhalb des Geräts befindet, verwaltet die Refresh-Operationen auf dem DRAM-Array, wenn der Speicher nicht aktiv vom Master (Host) der HyperBus-Schnittstelle gelesen oder geschrieben wird. Das DRAM-Array erscheint dem Host, als ob der Speicher statische Zellen verwendet, die Daten ohne Aktualisierung speichern, da der Host keine Aktualisierungsvorgänge verwalten muss. Daher wird dieser Speicher genauer aufgerufen oder kann als Pseudo Static RAM (PSRAM) beschrieben werden.

Temperaturbereich: –40 °C bis +85°C
Schnittstellenbandbreite (MBps): 400 Mbit/s.
RoHS-kompatibel

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