Infineon SDRAM 64 MB Oberfläche 16 Bits/Wort 8 bit FBGA-24 Kugel 24-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 273-7513
- Herst. Teile-Nr.:
- S27KL0642DPBHI020
- Hersteller:
- Infineon
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | SDRAM | |
| Speicher Größe | 64MB | |
| Datenbus-Breite | 8bit | |
| Taktfrequenz max. | 200MHz | |
| Anzahl der Bits pro Wort | 16 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Gehäusegröße | FBGA-24 Kugel | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Pinanzahl | 24 | |
| Maximale Betriebstemperatur | 105°C | |
| Höhe | 1mm | |
| Länge | 6mm | |
| Serie | S27K | |
| Breite | 8mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | AEC-Q100 Klasse 2 und 3 | |
| Maximale Versorgungsspannung | 3.6V | |
| Minimale Versorgungsspannung | 1.8V | |
| Versorgungsstrom | 360μA | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ SDRAM | ||
Speicher Größe 64MB | ||
Datenbus-Breite 8bit | ||
Taktfrequenz max. 200MHz | ||
Anzahl der Bits pro Wort 16 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Gehäusegröße FBGA-24 Kugel | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Pinanzahl 24 | ||
Maximale Betriebstemperatur 105°C | ||
Höhe 1mm | ||
Länge 6mm | ||
Serie S27K | ||
Breite 8mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard AEC-Q100 Klasse 2 und 3 | ||
Maximale Versorgungsspannung 3.6V | ||
Minimale Versorgungsspannung 1.8V | ||
Versorgungsstrom 360μA | ||
Infineons DRAM ist ein selbstauffrischender Hochgeschwindigkeits-CMOS-DRAM mit HYPERBUS-Schnittstelle. Das DRAM-Array verwendet dynamische Zellen, die in regelmäßigen Abständen aktualisiert werden müssen. Die Auffrischungssteuerungslogik innerhalb des Bausteins verwaltet die Auffrischungsvorgänge auf dem DRAM-Array, wenn der Speicher nicht aktiv vom HYPERBUS-Schnittstellenmaster gelesen oder beschrieben wird. Da der Host keine Auffrischungsvorgänge durchführen muss, erscheint das DRAM-Array für den Host so, als ob der Speicher statische Zellen verwendet, die Daten ohne Auffrischung speichern. Daher wird der Speicher genauer als Pseudo Static RAM bezeichnet.
200 MHz maximale Taktrate
Datendurchsatz bis zu 400 MBps
Bidirektionales Lese-Schreib-Daten-Strobe
Automotive AEC Q100 Grade 2 und 3
Optionales DDR Center Aligned Read Strobe
DDR überträgt Daten auf beiden Flanken des Taktes
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