Alliance Memory SDRAM 64MBit 4 M x 16 DDR 200MHz 16bit Bits/Wort 5.4ns TSOP 54-Pin, 3 V bis 3,6 V

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RS Best.-Nr.:
230-8433
Herst. Teile-Nr.:
AS4C4M16SA-7TCN
Hersteller:
Alliance Memory
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Marke

Alliance Memory

Speicher Größe

64MBit

Organisation

4 M x 16

SDRAM-Klasse

DDR

Datenumfang

200MHz

Datenbus-Breite

16bit

Adressbusbreite

12bit

Anzahl der Bits pro Wort

16bit

Zugriffszeit max.

5.4ns

Anzahl der Wörter

4M

Montage-Typ

SMD

Gehäusegröße

TSOP

Pinanzahl

54

Abmessungen

22.35 x 10.29 x 1.2mm

Höhe

1.2mm

Länge

22.35mm

Arbeitsspannnung max.

3,6 V

Betriebstemperatur max.

+70 °C

Arbeitsspannnung min.

3 V

Betriebstemperatur min.

0 °C

Breite

10.29mm

Der Alliance Memory 64 Mb SDRAM ist ein synchroner Hochgeschwindigkeits-CMOS-DRAM mit 64 Mbit/s. Er ist intern als 4 Bänke mit 1M Word x 16 DRAM mit synchroner Schnittstelle konfiguriert (alle Signale werden an der positiven Flanke des Taktsignals CLK registriert). Lese- und Schreibzugriffe auf den SDRAM sind Burst-orientiert

Die Zugriffe beginnen an einem ausgewählten Ort und fahren für eine programmierte Anzahl von Orten in einer programmierten Reihenfolge fort. Die Zugriffe beginnen mit der Registrierung eines Bank-Activate-Befehls, dem dann ein Lese- oder Schreibbefehl folgt.

Schnelle Zugriffszeit ab Uhr: 4,5/5,4/5,4 ns
Schnelle Taktrate: 200/166/143 MHz
Vollständig synchroner Betrieb
Interne verrohrungsbeschlungener Architektur
1 M Wort x 16-Bit x 4-Bank

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