Alliance Memory SDRAM 128 MB 8M x 16 bit Oberfläche 16 Bits/Wort 16 bit 5.4 ns TSOP 54-Pin

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RS Best.-Nr.:
230-8440
Herst. Teile-Nr.:
AS4C8M16SA-7TCN
Hersteller:
Alliance Memory
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Marke

Alliance Memory

Speicher Größe

128MB

Produkt Typ

SDRAM

Organisation

8M x 16 bit

Datenbus-Breite

16bit

Adressbusbreite

12bit

Anzahl der Bits pro Wort

16

Taktfrequenz max.

143MHz

Zugriffszeit max.

5.4ns

Anzahl der Wörter

2M

Montageart

Oberfläche

Gehäusegröße

TSOP

Betriebstemperatur min.

0°C

Pinanzahl

54

Maximale Betriebstemperatur

70°C

Normen/Zulassungen

No

Breite

8.1mm

Länge

22.35mm

Höhe

1.2mm

Serie

AS4C8M16SA

Maximale Versorgungsspannung

3.6V

Automobilstandard

Nein

Minimale Versorgungsspannung

3V

Der Alliance Memory 128 Mb SDRAM ist ein synchroner Hochgeschwindigkeits-CMOS-DRAM mit 128 Mbit/s. Er ist intern als 4 Bänke mit 2M Word x 16 DRAM mit synchroner Schnittstelle konfiguriert (alle Signale werden an der positiven Flanke des Taktsignals CLK registriert). Lese- und Schreibzugriffe auf den SDRAM sind Burst-orientiert; Die Zugriffe beginnen an einem ausgewählten Ort und fahren für eine programmierte Anzahl von Orten in einer programmierten Reihenfolge fort. Die Zugriffe beginnen mit der Registrierung eines Bank Active-Befehls, dem dann ein Lese- oder Schreibbefehl folgt.

Automatische Aktualisierung und Selbstaktualisierung

4096 Aktualisierungszyklen/64 ms

CKE-Abschaltmodus

Einfaches +3,3-V-D2,3-V-Netzteil

Schnittstelle: LVTTL

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