ISSI SDRAM 64 MB 4M x 16 bit Oberfläche 16 Bits/Wort 16 bit 5.4 ns TSOP 54-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 811-5125
- Herst. Teile-Nr.:
- IS42S16400J-7TLI
- Hersteller:
- ISSI
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ISSI | |
| Produkt Typ | SDRAM | |
| Speicher Größe | 64MB | |
| Organisation | 4M x 16 bit | |
| Datenbus-Breite | 16bit | |
| Adressbusbreite | 14bit | |
| Taktfrequenz max. | 200MHz | |
| Anzahl der Bits pro Wort | 16 | |
| Zugriffszeit max. | 5.4ns | |
| Anzahl der Wörter | 4M | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Gehäusegröße | TSOP | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Pinanzahl | 54 | |
| Maximale Betriebstemperatur | 85°C | |
| Länge | 22.42mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 10.29 mm | |
| Serie | IS42S16400J | |
| Höhe | 1.05mm | |
| Minimale Versorgungsspannung | 3V | |
| Maximale Versorgungsspannung | 3.6V | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ISSI | ||
Produkt Typ SDRAM | ||
Speicher Größe 64MB | ||
Organisation 4M x 16 bit | ||
Datenbus-Breite 16bit | ||
Adressbusbreite 14bit | ||
Taktfrequenz max. 200MHz | ||
Anzahl der Bits pro Wort 16 | ||
Zugriffszeit max. 5.4ns | ||
Anzahl der Wörter 4M | ||
Montageart Oberfläche | ||
Gehäusegröße TSOP | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Pinanzahl 54 | ||
Maximale Betriebstemperatur 85°C | ||
Länge 22.42mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 10.29 mm | ||
Serie IS42S16400J | ||
Höhe 1.05mm | ||
Minimale Versorgungsspannung 3V | ||
Maximale Versorgungsspannung 3.6V | ||
Automobilstandard Nein | ||
Dynamischer RAM, ISSI
ISSISDR SDRAM Serie bietet synchrone Schnittstelle mit programmierbarer CAS-Latenz (2/3 Uhren). Die Datenübertragung mit hoher Geschwindigkeit wird durch Anwendung des Pipeline-Prozesses sichergestellt, und die synchrone DRAM SDR Serien bieten Burst Lesen/Schreiben und Burst Lesen- /einfach Schreiben, womit sie sich ideal zum Einsatz in Computeranwendungen eignen. ISSI's SDR SDRAM-Geräte gibt es in einer Reihe von verschiedenen Organisationen und Speichergrößen, betrieben mit einem 3,3-Volt-Netzteil.
LVTTL-Schnittstelle
Eingangs-/Ausgangssignale beziehen sich auf die ansteigende Flanke des Takteingangs
Programmierbare Burst Reihenfolge: Sequenzielles/Interleave; programmierbar Burstlänge
Zufällige Spaltenadresse für jeden Zyklus
Selbst-Refresh und Auto Refresh Modus
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