Winbond SDRAM 2 GB 256M x 8 Bit Oberfläche, SMD 8 Bits/Wort 16 bit 0.4 ns WBGA 84-Pin

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RS Best.-Nr.:
188-2835P
Herst. Teile-Nr.:
W972GG6KB25I
Hersteller:
Winbond
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Marke

Winbond

Speicher Größe

2GB

Produkt Typ

SDRAM

Organisation

256M x 8 Bit

Datenbus-Breite

16bit

Adressbusbreite

17bit

Anzahl der Bits pro Wort

8

Taktfrequenz max.

533MHz

Zugriffszeit max.

0.4ns

Anzahl der Wörter

256M

Montageart

Oberfläche, SMD

Gehäusegröße

WBGA

Pinanzahl

84

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Betriebstemperatur

95°C

Höhe

0.6mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Breite

8.1 mm

Länge

12.6mm

Serie

W972GG6KB

Versorgungsstrom

280mA

Minimale Versorgungsspannung

1.7V

Maximale Versorgungsspannung

1.9V

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
TW
Der W972GG6KB ist ein 2-G-Bit-DDR2-SDRAM mit einer Geschwindigkeit von -18, -25/25I und -3/-3I.

Doppelte Datenraten-Architektur: zwei Datenübertragungen pro Taktzyklus

CAS-Latenz: 3, 4, 5, 6 und 7

Burst-Länge: 4 und 8

Bidirektional, Differenzial-Datenvalidierungen (DQS und /DQS) werden mit Daten übertragen/empfangen

Flanken-ausgerichtet beim Lesen von Daten und Mitte-ausgerichtet beim Schreiben von Daten

DLL richtet DQ- und DQS-Übergänge auf den Takt aus

Differenzialtakteingänge (CLK und /CLK)

Datenmasken (DM) für das Schreiben von Daten

Befehle, die an jeder positiven CLK-Kante, an Daten- und Datenmaske eingegeben werden, beziehen sich auf beide Kanten von /DQS

Programmierbare additive Latenz /CAS unterstützt, um die Effizienz von Befehlen und Datenbus zu steigern

Leselatenz = Additive Latenz plus CAS-Latenz (RL = AL + CL)

Off-Chip-Impedanzeinstellung des Treibers (OCD) und On-Die-Abschluss (ODT) für bessere Signalqualität

Auto-Precharge-Betrieb zum Lesen und Schreiben von Bursts

Auto-Refresh- und Self-Refresh-Modi

Precharged Abschaltung und aktive Abschaltung

Datenmaske schreiben

Schreiblatenz = Leselatenz - 1 (WL = RL - 1)

Schnittstelle: SSTL_18

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