Taiwan Semiconductor Silizium-Verbindung Serie 150 mA 85 V Oberfläche SC-70 3-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 170-4148
- Herst. Teile-Nr.:
- BAV99W RF
- Hersteller:
- Taiwan Semiconductor
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Rolle mit 3000 Stück)*
€ 87,00
(ohne MwSt.)
€ 105,00
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 27. Oktober 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 3000 - 12000 | € 0,029 | € 87,00 |
| 15000 + | € 0,027 | € 81,00 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 170-4148
- Herst. Teile-Nr.:
- BAV99W RF
- Hersteller:
- Taiwan Semiconductor
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Taiwan Semiconductor | |
| Diodenkonfiguration | Serie | |
| Produkt Typ | Silizium-Verbindung | |
| Maximaler Durchlassstrom If | 150mA | |
| Subtyp | Siliziumverbindung | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Gehäusegröße | SC-70 | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Nicht-repetitiver Spitzendurchlassstoßstrom Ifsm | 4A | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 200mW | |
| Betriebstemperatur min. | -65°C | |
| Maximale Durchlassspannung Vf | 1.25V | |
| Spitzensperrverzögerungszeit trr | 4ns | |
| Maximale Spitzensperrwiederholspannung Vrrm | 85V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 2.1mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 1mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Taiwan Semiconductor | ||
Diodenkonfiguration Serie | ||
Produkt Typ Silizium-Verbindung | ||
Maximaler Durchlassstrom If 150mA | ||
Subtyp Siliziumverbindung | ||
Montageart Oberfläche | ||
Gehäusegröße SC-70 | ||
Pinanzahl 3 | ||
Nicht-repetitiver Spitzendurchlassstoßstrom Ifsm 4A | ||
Maximale Verlustleistung Pd 200mW | ||
Betriebstemperatur min. -65°C | ||
Maximale Durchlassspannung Vf 1.25V | ||
Spitzensperrverzögerungszeit trr 4ns | ||
Maximale Spitzensperrwiederholspannung Vrrm 85V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 2.1mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 1mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- TW
Kleinsignal-Schaltdioden, Taiwan Semiconductor
Dioden und Gleichrichter, Taiwan Semiconductor
Verwandte Links
- Taiwan Semiconductor Silizium-Verbindung Serie 150 mA 85 V Oberfläche SC-70 3-Pin
- Taiwan Semiconductor Silizium-Verbindung Serie 200 mA 70 mV Oberfläche SOT-23 3-Pin
- DiodesZetex Silizium-Verbindung Serie 300 mA 75 V Oberfläche SOT-323 3-Pin
- Taiwan Semiconductor Silizium-Verbindung Einfach 150 mA 100 V Durchsteckmontage DO-35 2-Pin
- DiodesZetex Silizium-Verbindung Serie 160 mA 85 V Oberfläche SC-70 3-Pin
- Taiwan Semiconductor Silizium-Verbindung Einfach 3 A 400 V Oberfläche DO-214AA 2-Pin
- Taiwan Semiconductor Silizium-Verbindung Einfach 150 A 100 V Oberfläche MiniMELF 2-Pin
- Taiwan Semiconductor Silizium-Verbindung Einfach 3 A 200 V Oberfläche DO-214AA 2-Pin