Taiwan Semiconductor Silizium-Verbindung Einfach 150 mA 100 V Durchsteckmontage DO-35 2-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 652-7343
- Herst. Teile-Nr.:
- 1N4148 A0
- Hersteller:
- Taiwan Semiconductor
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Taiwan Semiconductor | |
| Diodenkonfiguration | Einfach | |
| Produkt Typ | Silizium-Verbindung | |
| Maximaler Durchlassstrom If | 150mA | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Subtyp | Siliziumverbindung | |
| Gehäusegröße | DO-35 | |
| Pinanzahl | 2 | |
| Nicht-repetitiver Spitzendurchlassstoßstrom Ifsm | 2A | |
| Betriebstemperatur min. | -65°C | |
| Spitzensperrverzögerungszeit trr | 4ns | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 500mW | |
| Maximale Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Maximale Spitzensperrwiederholspannung Vrrm | 100V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 5.08mm | |
| Durchmesser | 2.28mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 2.3mm | |
| Höhe | 2.3mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Taiwan Semiconductor | ||
Diodenkonfiguration Einfach | ||
Produkt Typ Silizium-Verbindung | ||
Maximaler Durchlassstrom If 150mA | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Subtyp Siliziumverbindung | ||
Gehäusegröße DO-35 | ||
Pinanzahl 2 | ||
Nicht-repetitiver Spitzendurchlassstoßstrom Ifsm 2A | ||
Betriebstemperatur min. -65°C | ||
Spitzensperrverzögerungszeit trr 4ns | ||
Maximale Verlustleistung Pd 500mW | ||
Maximale Durchlassspannung Vf 1V | ||
Maximale Spitzensperrwiederholspannung Vrrm 100V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 5.08mm | ||
Durchmesser 2.28mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 2.3mm | ||
Höhe 2.3mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
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