Taiwan Semiconductor Silizium-Verbindung Serie 200 mA 70 mV Oberfläche SOT-23 3-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 687-2801
- Herst. Teile-Nr.:
- BAV99 RF
- Hersteller:
- Taiwan Semiconductor
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- RS Best.-Nr.:
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- Herst. Teile-Nr.:
- BAV99 RF
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Taiwan Semiconductor | |
| Maximaler Durchlassstrom If | 200mA | |
| Diodenkonfiguration | Serie | |
| Produkt Typ | Silizium-Verbindung | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Subtyp | Siliziumverbindung | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 225mW | |
| Spitzensperrverzögerungszeit trr | 6ns | |
| Nicht-repetitiver Spitzendurchlassstoßstrom Ifsm | 2A | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Durchlassspannung Vf | 1.25V | |
| Maximale Spitzensperrwiederholspannung Vrrm | 70mV | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 3.05mm | |
| Höhe | 1.1mm | |
| Breite | 1.4mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Taiwan Semiconductor | ||
Maximaler Durchlassstrom If 200mA | ||
Diodenkonfiguration Serie | ||
Produkt Typ Silizium-Verbindung | ||
Montageart Oberfläche | ||
Subtyp Siliziumverbindung | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Pinanzahl 3 | ||
Maximale Verlustleistung Pd 225mW | ||
Spitzensperrverzögerungszeit trr 6ns | ||
Nicht-repetitiver Spitzendurchlassstoßstrom Ifsm 2A | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Durchlassspannung Vf 1.25V | ||
Maximale Spitzensperrwiederholspannung Vrrm 70mV | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 3.05mm | ||
Höhe 1.1mm | ||
Breite 1.4mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
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