onsemi NPN Darlington-Transistor 120 V 30 A HFE:200, TO-204 3-Pin Einfach

RS Best.-Nr.:: 463-000
Herst. Teile-Nr.:: MJ11016G
Hersteller:: onsemi

onsemi NPN Darlington-Transistor 120 V 30 A HFE:200, TO-204 3-Pin Einfach

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Herst. Teile-Nr.:: MJ11016G
Hersteller:: onsemi

ESD Control Selection Guide V1
Datasheet

Eigenschaft	Wert
Transistor-Typ	NPN
Dauer-Kollektorstrom max.	30 A
Kollektor-Emitter-Spannung	120 V
Basis-Emitter Spannung max.	5 V
Gehäusegröße	TO-204
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Transistor-Konfiguration	Einfach
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Gleichstromverstärkung min.	200
Basis-Emitter-Sättigungsspannung max.	5 V
Kollektor-Basis-Spannung max.	120 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.	4 V
Breite	26.67mm
Länge	39.37mm
Abmessungen	39.37 x 26.67 x 8.51mm
Höhe	8.51mm
Betriebstemperatur min.	-55 °C
Betriebstemperatur max.	+200°C

onsemi NPN Darlington-Transistor 120 V 30 A HFE:200, TO-204 3-Pin Einfach

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