Maxim Integrated NVRAM 256kbit 32 K x 8 70ns THT, EDIP 28-Pin 39.37 x 18.8 x 10.67mm
- RS Best.-Nr.:
- 191-5737
- Herst. Teile-Nr.:
- DS1230AB-70IND+
- Hersteller:
- Maxim Integrated
Alle NVRAM anzeigen
Zurzeit nicht verfügbar, Versand erfolgt sobald lieferbar.
Preis pro 1 Stück
€ 26,17
(ohne MwSt.)
€ 31,40
(inkl. MwSt.)
| Stück | Pro Stück |
| 1 - 9 | € 26,17 |
| 10 - 24 | € 24,37 |
| 25 - 99 | € 24,12 |
| 100 - 249 | € 22,22 |
| 250 + | € 21,66 |
- RS Best.-Nr.:
- 191-5737
- Herst. Teile-Nr.:
- DS1230AB-70IND+
- Hersteller:
- Maxim Integrated
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- PH
Informationen zur Produktgruppe
10 Jahre minimale Datenspeicherung ohne externe Stromversorgung
Daten werden bei Stromausfall automatisch geschützt
Ersetzt 32k x 8 flüchtigen statischen RAM-, EEPROM- oder Flash-Speicher
Unbegrenzte Schreibzyklen
CMOS mit geringer Leistungsaufnahme
Lese- und Schreibzugriffszeiten von 70 ns
Die Lithium-Energiequelle wird elektrisch getrennt, um die Frische zu erhalten, bis zum ersten Mal Strom angelegt wird
Voller ±10 % VCC-Betriebsbereich (DS1230Y)
Optionaler ±5 % VCC-Betriebsbereich (DS1230AB)
Optionaler industrieller Temperaturbereich von -40 °C bis +85 °C, gekennzeichnet mit IND
28-poliges DIP-Gehäuse
Powercap-Modul (PCM)-Gehäuse
Direkt oberflächenmontierbares Modul
Austauschbare Snap-on-PowerCap bietet Lithium-Pufferbatterie
Standardisierte Pinbelegung für alle nicht flüchtigen SRAM-Produkte
Die Abtrennungsfunktion am Powercap ermöglicht ein einfaches Entfernen mit einem normalen Schraubendreher
Daten werden bei Stromausfall automatisch geschützt
Ersetzt 32k x 8 flüchtigen statischen RAM-, EEPROM- oder Flash-Speicher
Unbegrenzte Schreibzyklen
CMOS mit geringer Leistungsaufnahme
Lese- und Schreibzugriffszeiten von 70 ns
Die Lithium-Energiequelle wird elektrisch getrennt, um die Frische zu erhalten, bis zum ersten Mal Strom angelegt wird
Voller ±10 % VCC-Betriebsbereich (DS1230Y)
Optionaler ±5 % VCC-Betriebsbereich (DS1230AB)
Optionaler industrieller Temperaturbereich von -40 °C bis +85 °C, gekennzeichnet mit IND
28-poliges DIP-Gehäuse
Powercap-Modul (PCM)-Gehäuse
Direkt oberflächenmontierbares Modul
Austauschbare Snap-on-PowerCap bietet Lithium-Pufferbatterie
Standardisierte Pinbelegung für alle nicht flüchtigen SRAM-Produkte
Die Abtrennungsfunktion am Powercap ermöglicht ein einfaches Entfernen mit einem normalen Schraubendreher
Technische Daten des gezeigten Artikels
| Eigenschaft | Wert |
| Speicher Größe | 256kbit |
| Organisation | 32 K x 8 |
| Zugriffszeit max. | 70ns |
| Montage-Typ | THT |
| Gehäusegröße | EDIP |
| Pinanzahl | 28 |
| Abmessungen | 39.37 x 18.8 x 10.67mm |
| Länge | 39.37mm |
| Breite | 18.8mm |
| Höhe | 10.67mm |
| Arbeitsspannnung max. | 5,25 V |
| Betriebstemperatur max. | +85 °C |
| Anzahl der Bits pro Wort | 8bit |
| Betriebstemperatur min. | –40 °C |
| Anzahl der Wörter | 32K |
| Arbeitsspannnung min. | 4,75 V |