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    Maxim Integrated NVRAM 256kbit 32 K x 8 70ns THT, EDIP 28-Pin 39.37 x 18.8 x 10.67mm

    RS Best.-Nr.:
    191-5737
    Herst. Teile-Nr.:
    DS1230AB-70IND+
    Hersteller:
    Maxim Integrated
    Maxim Integrated
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    DS1230AB-70IND+
    Hersteller:
    Maxim Integrated
    Ursprungsland:
    PH

    Datenblätter und Anleitungen


    Rechtliche Anforderungen

    Ursprungsland:
    PH

    Informationen zur Produktgruppe

    10 Jahre minimale Datenspeicherung ohne externe Stromversorgung
    Daten werden bei Stromausfall automatisch geschützt
    Ersetzt 32k x 8 flüchtigen statischen RAM-, EEPROM- oder Flash-Speicher
    Unbegrenzte Schreibzyklen
    CMOS mit geringer Leistungsaufnahme
    Lese- und Schreibzugriffszeiten von 70 ns
    Die Lithium-Energiequelle wird elektrisch getrennt, um die Frische zu erhalten, bis zum ersten Mal Strom angelegt wird
    Voller ±10 % VCC-Betriebsbereich (DS1230Y)
    Optionaler ±5 % VCC-Betriebsbereich (DS1230AB)
    Optionaler industrieller Temperaturbereich von -40 °C bis +85 °C, gekennzeichnet mit IND
    28-poliges DIP-Gehäuse
    Powercap-Modul (PCM)-Gehäuse
    Direkt oberflächenmontierbares Modul
    Austauschbare Snap-on-PowerCap bietet Lithium-Pufferbatterie
    Standardisierte Pinbelegung für alle nicht flüchtigen SRAM-Produkte
    Die Abtrennungsfunktion am Powercap ermöglicht ein einfaches Entfernen mit einem normalen Schraubendreher


    Technische Daten des gezeigten Artikels

    EigenschaftWert
    Speicher Größe256kbit
    Organisation32 K x 8
    Zugriffszeit max.70ns
    Montage-TypTHT
    GehäusegrößeEDIP
    Pinanzahl28
    Abmessungen39.37 x 18.8 x 10.67mm
    Länge39.37mm
    Breite18.8mm
    Höhe10.67mm
    Arbeitsspannnung max.5,25 V
    Betriebstemperatur max.+85 °C
    Arbeitsspannnung min.4,75 V
    Betriebstemperatur min.–40 °C
    Anzahl der Wörter32K
    Anzahl der Bits pro Wort8bit
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